简介:LED是一种将电能转换为光能的半导体固态发光器件。其电光转换的机理是,在某些半导体材料的PN结中,载流子在电势差作用下循环往复地移动,当空穴和电子相遇而产生复合,电子会跌落到较低的能阶,同时以光子的方式释放出能量,从而把电能转换为光能。LED用于节能照明,它比传统的电阻发热、电弧惰性气体反应、荧光放电等光源,相同功效下其额定电压更低工作电流更小性能更稳定。LED可以产生各种单色光及多基色复合日光,这种照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。