简介：当孔壁表面温度超过环氧树脂的玻璃化温度时，会产生一层薄的树脂钻污近年来ROSH标准的实施及对电子产品的要求提高，更高Tg板材的使用越来越多本文希望通过实验，为合理选用溶胀剂提供参考：

简介：镀锡层具有抗腐蚀性、无毒性和可焊性,被广泛应用于印制板领域。文章概述了应用于PCB镀锡过程中的电镀锡工艺种类和添加剂的发展状况。对各种镀锡的工艺和特点进行了归纳、总结,指出未来电镀纯锡仍将占主导地位。介绍了不同添加剂在镀锡中的作用,指出添加剂将由单一型向多样型发展,并对添加剂的应用进行了展望。

简介：概述了黑氧化处理的问题点，利用蚀刻的铜箔粗化和替代黑氧化处理工艺的技术动向。

简介：刚挠结合印制板综合了刚性板和挠性板各自的优点,在电子电路技术中得到了广泛的应用。其工艺实现上主要的关键技术是材料匹配技术、多层板层间对位技术、层间互连技术以及软板区防损技术。

简介：碳浆（碳膏），亦称导电碳油或导电碳浆。在印制板生产中，作为导线、电阻、接触点使用日益广泛。在印制电路板生产中使用到碳浆，常常会出现各种各样的问题。本文还针对丝印液态感光油在阻焊工艺中的流程进行了介绍。

简介：在降低成本的因素驱动下,微型钻头钻径的结构发生明显工艺变化。PCB微细槽钻加工工艺变更前采用的等径焊接工艺,变更后采用大小平焊。变更可行评估评价指标:焊接强度、对比孔位精度、批次测试孔位精度及孔粗,极限测试断刀及脱焊、磨损情况。

简介：IBM发表了新型绝缘体材料配方，号称能有效提升先进工艺芯片性能与良率。IBM近日在美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会（InternationalReliabilitvPhysicsSymposium，IRPS）上发表了新型绝缘体。

简介：PEDOT:PSS直接电镀工艺对传统工艺进行了改造。改造后的工艺不仅比传统工艺减少了四个环节,而且将分离的两个时空合二为一,这样就缩短处理时间,提高了生产效率,最后我们还分析了影响镀层的质量和沉积效率的因素,这些因素完全是定量可控的,它们是我们进一步优化工艺参数和提高镀层质量的理论根据。

简介：Cadence与台积电12日联合宣布，用于新的CadenceVirtuoso客户设计平台的台积电90nm射频工艺设计套件（PDK）已经面世。这一90nmRF工艺设计套件是台积电一系列工艺设计套件之一，支持Cadence最新的用于模拟、混合信号和RF器件设计的Virtuoso平台。

简介：文章通过选择合适的刮胶、设计树脂塞孔模板、优化刮印及固化参数,利用丝网印刷技术进行电路板树脂塞孔的制作技巧。通过应用这些技巧实现了0.15mm-0.60mm孔径范围内高厚径比孔的无空洞、无凹陷塞孔。并对这些技术进行了实验验证。

简介：芯片设计软件供应公司微捷码（Magma）设计自动化有限公司于近日宣布微捷码的Talus集成电路实现系统、QuartzSSTA统计分析工具、QuartzDFM（可制造性设计）、QuartzLVS以及SiliconSmartDFM能够通过中国台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）9.0版参考流程进行访问。

简介：近日，芯禾科技宣布其三维全波电磁场仿真软件IRIS已通过GLOBALFOUNDRIES的22FDX工艺技术认证。该认证能确保设计人员在IRIS中放心的使用GLOBALFOUNDRIES22FDXPDK工艺文件进行设计仿真。

简介：AvagoTechnologies宣布其28nm串行／解串器（SerDes）核心已经达到32Gbps的性能，并且可以承受高达40dB的通道损耗，这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率，并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。

简介：中芯国际集成电路制造（SMIC）将从2009年1月正式启动32nm工艺技术的开发。开发得以启动的原因是美国政府批准向SMIC提供32nm工艺技术。在得到美国政府许可后，SMIC将在该公司拥有尖端技术的全部工厂启动32nm逻辑工艺的开发。并且，该公司还有可能从2009年1月开始，利用SMIC在武汉的300mm晶圆生产线，启动32nm工艺闪存的研究开发。SMIC在此前已经与美国Spansion就探讨制造32nm工艺的闪存达成了协议。

简介：引言微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的,微电子技术已经成为整个信息产业的基础和核心。自1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本,集成电路的特征尺寸不

简介：该文对多层印制板内层图形制作之蚀刻工艺技术进行了简单介绍,对该制程的品质控制进行了较为详细的论述.

简介：介绍了一种任意层HDI板的制作工艺,针对该类板的制作难点进行分析并提出解决方法。以一种十层任意层HDI板的制作为范例,重点对该制作工艺的激光、线路和电镀等重要制程的控制参数、难点及注意事项进行了讲解,为同行各企业提高生产生产任意层HDI板的技术水平起到抛砖引玉的作用。

简介：台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10．0版，能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10．0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一，并能延续其实现更先进设计方法的传统，解决28纳米工艺所面临的新设计挑战，并有多项创新以促成系统级封装设计的应用。

简介：本文中介绍了一种速率为1．25Gbit／s的激光二极管驱动器的设计。为了保持工作中的稳定平均输出功率和恒定消光比，采用了温度补偿电路和自动功率控制电路。介绍了调制主通道的结构和其他功能模块的结构和实现原理，并介绍了部分电路和仿真结果。芯片采用0．35μmBiCMOS工艺实现．实测结果表明在＋3．3V供电电压，1．25Gbit／s速率下，电路输出眼图清晰，可以提供5～85mA调制电流。可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。

简介：三星近日宣布，第二代10nmFinFET工艺已经开发完成，未来争取10nm产品代工订单将如虎添翼。三星第一代10nm工艺于去年10月领先同行导入量产，目前的三星Exynos9与高通骁龙835处理器均是以第一代10nm工艺生产。