学科分类
/ 2
25 个结果
  • 简介:在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼(Li3N-hBN)体系中合成立方氮化硼(cBN)单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂(Li3BN2)组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

  • 标签: 立方氮化硼 生长界面 静态高温高压法 HRTEM XPS 生长机理
  • 简介:根据固体和分子经验电子理论(EET理论),分别计算了静压法和爆炸法合成金刚石过程中石墨和金刚石的价电子结构,获得了超高温高压下石墨和金刚石12组不同组合晶面间的价电子密度,结果表明,采用静压法合成金刚石.石墨/金刚石晶面的电子密度差均大于10%,说明其晶面的价电子结构差异太大,不能诱发石墨向金刚石的直接转变。而采用爆炸法合成金刚石,石墨结构理论键距和实验键距差是0.1073nm,明显大于稳定的价电子结构键距差的最大值(0.005nm),因此,爆炸法条件下,石墨的价电子结构不稳定,主要因为超高温高压下,石墨先分解出亚稳相后再转变成金刚石结构。

  • 标签: 石墨 晶格常数 密度泛函理论 第一性原理
  • 简介:使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力(1200-2100K,4.0-8.0GPa)下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

  • 标签: 六方氮化硼 立方氮化硼 晶格常数 高温高压 VASP 第一性原理