简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:<正>近日,来自美国加州卡尔斯巴德市消息,ViaSat公司生产的支持民航舱内高速互联网的Ka波段机载终端发货总数量已经超过125台。这些终端设备由美国卫讯公司提供,它是集成了调制解调器、天线和整流罩在内的一整套Ka通信设备,首次应用于机载通信,它能够在多颗Ka波段卫星之间以及每颗卫星的多点波束之间进行无缝切换,为飞机提供持续不断的空中通信链路。美国卫讯Exede空中服务计划项目预计在明年底之前完成近400架民航飞机Ka终端的装备,其中Ka机载终端的性能是保证该项目顺利实施的关键。美国捷蓝航空和美联航已经正式推出该服务,相关安装工程正在持续顺利进行。
简介:机载干涉SAR获取DEM的过程中,绝对相位与展开后的相位存在一个常数相位偏移量。这需要利用照射区域内角反射器的地理信息去估计这个偏置。然而,人工布设角反射器浪费人力物力。同时,在一些危险区域人工布设和测量角反射器也是难以实施的。为了克服这一限制,相位偏移量可以利用外源DEM提取的地面控制点去估计,然后通过斜坡相位模型迭代估计误差。由于机载重轨干涉SAR的时变基线误差会影响算法中斜坡相位估计模型与线性求解的匹配性能,从而影响算法估计精度。提出了一种兼顾时变基线估计和补偿的相位偏置迭代估计算法。机载C波段0.5m高分辨率重轨干涉SAR实测数据用于验证该算法的有效性,高程重建精度在4m以内。该方法简单快速,且能够消除对人工角反射器的依赖性,适合无定标点情况下机载InSAR的DEM反演。
简介:12013年全球智能手机销售情况2014年2月14日,全球技术研究和咨询公司Gartner最新公布,2013年全球智能手机终端销售量总计为9.68亿支,较2012年显著增长42.3%(见表1).2013年智能手机占整体手机销售量的53.6%,首度超越功能型手机全年总销量.表12013年全球智能手机终端销售置(单位:千支)2013年第四季度,智能手机销售量增长36%,且占第四季度整体手机销售量的57.6%,较上年同期的44%有显著增长(见表2).智能手机销售量比重的提升主要来自拉丁美洲、中东与非洲、亚太地区及东欧市场的成长,上述地区智能手机销售量在第四季度的成长均超过50%.2013年第四季度印度智能手机销量强劲增长166.8%,成为Gartner追踪的国家中智能手机销售量成长幅度最大的;拉丁美洲则成为第四季度成长最快的区域(96.1%).中国对全球智能手机销售量也有显著贡献,2013年的销售量增长86.3%.