简介:摘要近年来,科学技术的发展迅速,配电工程的发展也有了很大的创新。城市化进程的加快,我国配网的整体结构发生了巨大的变化,复杂程度直线提高,而其中关于配电线路的精准故障定位、故障问题的隔离技术等一直以来都无法获得解决以及进一步的突破,因此,配电线路的故障跳闸率一直都处于居高不下的状态,影响我国整体配网企业的发展,本文将在分析目前探配电骨架网络以及电气设备的基础上,通过投入资金的支持以及有关供配电设备的升级改造工作,有效减少配电线路故障跳闸问题的出现几率从而实现的一种技术研发,10kV配网系统是整个供电网络的关键环节,是连接供电系统和用户的桥梁,其运行质量的高低对用户的用电质量以及电力企业的服务质量有着息息相关的联系,在这种背景之下,如何实现10kV配电网运行安全可靠性是电力部门首先要重点解决的目标。
简介:用有限时域差分方法(FDTD)对比研究了下列二维光子晶体的带隙:第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。
简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.