简介：采用机械合金化—低温表面氧化—高温内氧化—还原处理制备MgO弥散强化铁粉后再经放电等离子（SPS）烧结制备MgO弥散强化铁基材料,并通过SEM和EDS对材料的组织和断口进行分析。结果表明：添加MgO能够细化晶粒,并均匀地分布于基体中,MgO颗粒尺寸200nm~1μm。添加MgO强化后,材料的拉伸断口由粗大的韧窝变成细小的等轴韧窝;MgO弥散强化铁基材料烧结体的室温力学性能得到有效提高,Fe＋1.0%MgO的抗拉强度为342.6MPa,屈服强度为276.3MPa,硬度为61HRB,相对于纯铁分别提高了20.5%、54.2%和84.8%。

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：运用MATLAB图像处理，采用Lacey指数算法及综合分析方法作为混合评价指标，对回转滚筒内3组元颗粒混合机理及混合质量进行分析，结果表明：3组元颗粒混合过程中扩散混合在对流混合、对流与剪切混合共同作用、剪切混合3个阶段均起重要作用；大颗粒分布成花瓣形，花瓣形态及数量与填充率、倾角及转速均有关系；颗粒混合质量随各影响因素变化呈现出规律性变化，且与颗粒混合度所呈现的规律相异；该实验最佳工况为16.7%填充率、无倾角、3.4r/min。

简介：利用分离式Hopkinson压杆（splithopkinsonpressurebar，简称SHPB）技术对T6时效态2195铝锂合金帽型试样进行动态加载获得绝热剪切带（adiabaticshearband，ASB），利用透射电镜（TEM）和光学显微镜（OM）观察动态加载前后剪切带的微观结构特征，利用电子背散射衍射（EBSD）分析合金在100~400℃温度下退火后绝热剪切带微观结构的变化，研究剪切带内纳米结构的热稳定性。结果表明：在动态加载过程中，帽型试样的剪切区域形成绝热剪切带，剪切带内的晶粒为50~100nm左右的纳米等轴晶，在绝热剪切形变过程中析出相已完全溶解于基体中，纳米晶内部和晶界不存在析出相。在不同温度下退火时，剪切带内的晶粒随温度升高而长大，100~200℃温度下退火后晶粒未发生显著长大，在300℃退火后晶粒急剧长大到0.22μm，400℃退火后晶粒尺寸为1.77μm；在300℃左右温度下剪切带的硬度显著下降，此温度正是剪切带内纳米晶粒急剧长大的临界温度。

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