简介：

简介：在AM1方法优化的几何结构基础上,用INDO/CI-SOS方法深入探讨硼羰基(B-C=O)螺旋共轭化合物的二阶非线性光学性质,讨论了硼羰基的不同取代位置对螺旋共轭体系的电子光谱、二阶非线性光学系数的影响.结果表明硼羰基的引入可改善体系的非线性光学性质,随着硼羰基个数的增加,二阶非线性光学系数增大,大入射波长为1064nm时,β绝对值比未被取代的螺旋共轭化合物的β值增大一个数量级,达到13.84×10-40C·m.

简介：以量子化学半经验AM1方法优化几何构型为基础,采用FF/AM1和INDO-SOS方法计算了N-取代螺旋共轭化合物的非线性光学系数,讨论了N原子不同取代位置对螺旋共轭体系结构、电子光谱、非线性光学系数的影响.计算结果表明,N杂原子的引入可改善体系的非线性光学性质,所设计的分子具有较大的二阶非线性光学系数和较好的透明性.

简介：采用密度泛函理论B3LYP/6-311G＊＊方法,对一系列以联吡嗪为中心的有机共轭杂环分子的二阶非线性光学（NLO）性质和电子光谱进行了研究.结果表明,分子两侧给、受体取代基推或拉电子能力的增大,五元共轭杂环吡咯,呋喃以及噻吩环的引入明显地提高分子的二阶NLO系数βtot值,且降低了分子的最大吸收波长λmax,从而有利于解决＂非线性与透光性＂的矛盾.该系列分子由于具有较大的βtot值,较好的透光性,可以作为潜在的NLO材料.

简介：采用密度泛函理论B3LYP/6-311G＊＊方法,对一系列以三亚吡嗪为中心的有机共轭分子的二阶NLO性质和电子光谱进行了理论研究.结果表明,取代基推、拉电子能力的变化、相对数目及共轭桥的性质对研究分子的极化率及二阶NLO系数都有较大的影响.当研究分子以甲氨基为供体、以三氰基乙烯为受体、并以C=C双键为共轭桥时,显示了较大的二阶NLO活性和良好透光性的优化.该系列分子在NLO材料领域有较好的潜在应用价值.

简介：以α-乙酰基二硫缩烯酮为起始原料,通过与Vilsmeier试剂反应得到亚胺盐正离子中间体,利用亚胺盐正离子中间体与碳亲核体反应,成功制备了多取代共轭三烯类化合物.该方法具有原料易得、反应条件温和及实验步骤简单等优点.该反应不仅建立了一种简单、有效合成多取代共轭三烯化合物新方法,而且扩展了α-乙酰基二硫缩烯酮类化合物在有机合成中的进一步应用.

简介：简述超支化共轭聚合物光电活性材料研究进展，设计、合成了多种具有3-D立体结构的超支化共轭聚合物，研究了它们的结构与性能的关系及其在器件上的应用．实验结果表明。这种聚合物具有良好的溶解性，可成膜性和高的发光效率．可应用于发光二极管（LED），发光电化学池（LEC），光伏打电池等器件．这类化合物不仅可以作为发光材料，还可以通过修饰得到具有分子或离子识别、信息存储性能的特殊功能材料．

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.