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52 个结果
  • 简介:摘要:本文以一个高晶硅项目为例,探讨了在项目实施中应用精益管理的实践经验。通过质量样板的引入和应用,项目团队成功实现了质量管理的优化和效率提升。本文总结了实施精益管理的关键步骤和方法,并提出了对项目管理实践的启示和建议。

  • 标签: 精益管理,质量样板,高纯晶硅项目,项目管理,质量管理
  • 简介:摘 要:本文以三元锂离子动力电池为例,介绍了现有的试验与检验技术。通过对七个部分的研究与阐述,对我国的动力电池试验与认证技术进行了较为全面的综述,对我国的动力电池技术的发展,推动我国新能源汽车产业的升级具有重要意义。

  • 标签: 锂离子动力电池 新能源汽车 测试验证
  • 简介:摘要:通过讨论电动汽车行驶时利用风能发电的技术可行性,提出了相关的技术分析和实验意义。从技术上分析了风能发电的动能收集、转化效率和储能技术,并对影响汽车性能、稳定性以及实用范围的因素进行了探讨。针对该技术进行了充分的可行性实验分析,包括技术验证、效率评估、充电性能测试等多方面的实验意义,为未来该技术发展提供了重要参考。通过分析,可以深入了解电动汽车行驶风能发电技术的前景和挑战,为相关领域的研究和开发提供了指导和启示。

  • 标签: 纯电动汽车 行驶 风能发电 可行性 实验验证
  • 简介:摘要:本文通过介绍一台北汽EV160电动轿车由于无法正常充电的故障诊断与检修过程,阐述故障成因并对无法正常充电的故障进行诊断分析,提出了此类故障的诊断与检修方法。

  • 标签: 纯电动 充电
  • 简介:摘要:三氯氢硅是制备多元化合物的重要原料,其纯度直接影响最终产品性能。目前,提纯三氯氢硅的常用方法存在能耗高、产能低等问题。为此,引入树脂除碳技术对三氯氢硅进行提纯成为关键研究课题。通过使用含氨基酸基团的离子交换树脂,以树脂吸附的方式从三氯氢硅溶液中吸附出碳含量,经过实验发现,树脂除碳技术能有效去除三氯氢硅中的碳杂质,提纯率高达95%以上,与常规方法相比,其能耗降低了30%,产能也提高了20%。该研究得出的成果表明,树脂除碳技术在三氯氢硅的提纯工艺中具有很大的应用潜力,对于提高三氯氢硅的生产效率、降低生产成本等方面有重要的技术价值,对推动三氯氢硅相关产业的发展和提高产品质量具有显著意义。

  • 标签: 树脂除碳技术 三氯氢硅 提纯工艺 离子交换树脂 产能提高。
  • 简介:摘要:本文主要研究了基于Cruise仿真的电动客车电机优化选型对其动力经济性的影响。通过构建精确的电动客车动力系统模型,仿真分析了不同电机参数配置对车辆性能及能耗的影响,并以此为依据提出电机优化选型策略。结果显示,合理的电机选型能够有效提升电动客车的动力性能和经济性,对于推动新能源汽车技术进步与产业发展具有重要价值。

  • 标签: 纯电动客车 电机优化选型 Cruise仿真 动力经济性 新能源汽车
  • 简介:【摘要】本文旨在探索从硅源到高碳化硅(SiC)粉料的绿色合成路径,并分析不同合成方法对环境的影响。研究了改进的自蔓延合成法和化学气相沉积法(CVD法)等绿色合成技术,通过优化工艺参数和选择环保原料,实现了SiC粉料的高纯度制备。同时,本文还介绍了新型绿色合成技术如生物质基合成法和光电化学合成法。在环境影响分析部分,合成方法的能源消耗、碳排放及废物处理情况,指出了绿色合成路径在减少有害物质排放、提高资源利用效率方面的优势。

  • 标签: 碳化硅粉料 绿色合成 环境影响
  • 简介:摘要:本文旨在探讨洁净用品在高多晶硅后处理过程中的重要性。高多晶硅是半导体行业的关键材料,其质量和纯度对半导体产品的性能和可靠性具有重要影响。而高多晶硅后处理过程中的洁净要求尤为严格,因为微小的杂质和污染物会对材料的电学和光学特性产生负面影响。通过使用适当的洁净用品,可以有效去除污染物,提高材料的纯度和质量,从而确保半导体产品的性能和可靠性。

  • 标签: 洁净用品,高纯多晶硅,后处理,污染物,半导体产品。
  • 简介:摘要:本文深入探讨了大尺寸高半绝缘碳化硅(Semi-Insulating SiC, SI-SiC)单晶生长过程中面临的主要挑战,并提出了相应的解决方案。针对杂质控制难题、生长速率与均匀性的矛盾以及晶体扩径与稳定性控制等关键问题,本文详细分析了现有技术的局限性,并介绍了通过优化物理气相输运(PVT)法、高温化学气相沉积(HTCVD)法等传统技术,以及探索新型生长方法如激光辅助化学气相沉积(LACVD)等手段,来提高SI-SiC单晶质量的研究进展。还强调了生长设备在单晶生长过程中的重要性,并讨论了通过设备创新来提升单晶生长稳定性和一致性的策略。实验结果表明,所提出的解决方案有效降低了杂质含量,提高了生长速率与均匀性,并实现了晶体扩径的稳定控制。

  • 标签: 大尺寸 高纯 半绝缘碳化硅 单晶生长
  • 简介:摘要:本文深入研究了基于物理气相传输法(Physical Vapor Transport, PVT)的高半绝缘碳化硅(Silicon Carbide, SiC)单晶生长工艺的优化。针对当前PVT法在生长过程中存在的纯度提升难、结晶质量不稳定及生产效率不高等问题,先分析了PVT法的基本原理及SiC单晶生长的热力学与动力学机制,随后从原料选择与处理、生长条件优化、生长过程监控与调控以及杂质与缺陷控制等方面提出了一系列优化策略。

  • 标签: 物理气相传输法(PVT) 碳化硅(SiC) 高纯半绝缘 单晶生长
  • 简介:【摘要】本文深入研究了高碳化硅粉料从原料选择到成品控制的全流程质量控制方法。首先,探讨了原料选择与预处理对产品质量的基础影响,强调了高纯度原料及有效预处理的重要性。随后,详细分析了生产工艺流程中的混合、高温合成、冷却与后处理等各关键步骤,提出了优化参数和质量控制措施。本文的研究为提升碳化硅粉料生产质量、推动半导体材料产业发展提供了有力支持。

  • 标签: 高纯碳化硅粉料 原料选择 生产工艺 质量控制