简介:文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构,并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求,开发了基于0.6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。该D类音频放大器,在5V电压下可以以1.4W/Ch的功率驱动阻抗为8的负载。它同样可驱动阻抗为4的负载,5V电压下提供的最大功率为2.1W/Ch。同时还详细描述了前置音频放大器,三角波产生电路、比较器,死区控制电路,输出驱动电路等子模块的设计内容。电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证,经过仿真表明电路设计性能良好,符合设计要求,可广泛应用于便携式电子产品。
简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:嵌入式应用中,单指令流多数据流(SIMD,singleinstructionmultipledata)结构的向量处理器在蓬勃发展的同时,也面临着如何高效利用其丰富处理资源的问题。在SIMD的向量结构上,处理实际应用中无法被向量化运算的部分,尤其是很多非向量化的循环内部往往含有体间相关,使得SIMD结构的丰富运算资源处于空闲状态。因此,传统的SIMD结构受限于此类应用。提出了一种变型的向量处理器,在保持传统SIMD处理数据并行应用高效性的同时,能够高效地执行包含循环体间数据相关的代码段。实验结果表明,它能获得2.4倍的性能加速,而仅仅占用0.97%的面积开销。