简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：针对工程实践要求，简要分析了数字频率计和示波器的相关功能和设计原理，给出了基于AD8260大电流可变增益放大器而设计数字仪前端电路的工作原理及设计框图。最后详细论述了该数字分析仪前端电路的电路设计方法。

简介：以IGBT、IGCT等为代表的新型电力半导体器件和模块，在我国空调、冰箱、通信电源和电机调速装置(变频器)等电器和设备中的应用日益广泛，对我国高效节能事业和自动化技术的发展起到很大的推动作用。但是，近些年的实践中，由于种种原因，这些新器件在运行中失效损坏的现象还屡有发生。为了介绍和交流

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简介：1引言变频器作为一种变流器在运行过程中要产生一定的功耗。由于使用器件不同，控制方式不同，不同品牌，不同规格的变频器所产生的功耗也不尽相同。资料表明变频器的功耗一般为其容量的4～5％。其中逆变部分约占50％，整流及直流回路约40％，控制及保护电路为5～15％。10℃法则表明当器件温度降低10℃，器件的可靠性增长一倍。

简介：由北京电力电子学会、中国电器工业协会电力电子分会、IEEE电力电子学会北京分会和浙江省嘉善县人民政府主办,北京华瑞赛晶电子科技有限公司、《变频器世界》杂志社承办的2004电力电子技术及应用年会暨第四届中国电力电子论坛于2004年10月28日-31日在浙江省嘉善县举行。与会代表170人,他们来自67个单位,其中外企有ABB半导体、ABB传感器、Semikom、CooperBussmann、Bussmann快熔、HuaDanInternationalAPS、AVX、Redivdlt/ExpressASIA等8家公司。在开幕式主席台上就座的特邀嘉宾有国家科技部高新技术司自动化处处长戴国强、中国

简介：1引言变频器中过流保护的对象主要指带有突变性质的、电流的峰值超过了过流检测值（约额定电流的200％，不同变频器的保护值不一样），变频器则显示OC（OverCurrent）表示过流，由于逆变器件的过载能力较差，所以变频器的过流保护是至关重要的一环。

简介：在没有硝烟的“存量市场”上，每一点份额都是企业的已定版图之内，如何在这里精耕细作，以服务提升附加值，在“工业4．0”“互联网＋”“智能化”“大数据”这些新趋势下为客户带来新的增益？已然成为每个企业市场争夺战的必争之地。

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