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  • 简介:上期845摩机一文(《音响世界》第181期《精雕细刻成大器——845单端放大器打摩记》)的结尾段曾提及我还有些想法要实施,现经一段时间休整后又提上日程。在上一期的文章中就曾提及每级之间推动力的配合问题,也因此将300B的推动胆由5881A改为EH的6H30Pi。在诸多的想法中,现在最迫切的是要验证在我的系统中,300B与845两级之间推动力的配合是否已最合适。

  • 标签: 推挽功放 三极管 平衡 功率 无穷 300B
  • 简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

  • 标签: 肖特基二极管 砷化镓 功率因素校正 高功率密度 一代 功率因数校正
  • 简介:欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二管,该产品是同类产品中尺寸最小的二管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步,将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

  • 标签: 激光二极管 投影机 迷你型 优化型 欧司朗 蓝光
  • 简介:意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。

  • 标签: MOSFET管 功率密度 快速恢复 转换器 二极管 能效
  • 简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

  • 标签: 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区
  • 简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

  • 标签: 功率模块 硅二极管 MOS场效应管 整流器 碳化硅 开关