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119 个结果
  • 简介:针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

  • 标签: 高功率微波 无箔二极管 相对论电子束 低磁场 电子束包络
  • 简介:为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

  • 标签: InGaAsP/InGaAs子电池 转换效率 量子效率 电子辐照 位移损伤
  • 简介:为了满足我国正在建设的白光中子源(whiteneutronsource,WNS)需求,设计了具有共性化架构的C6D6谱仪读出电子学系统。该系统基于波形数字化技术和PXIe平台,实现对γ能谱和中子飞行时间的测量。介绍了系统设计方案,详细阐述了信号调理模块、时间测量、PXIe平台及相关软件的设计与实现,并开展了系统性能测试和联调实验。测量结果表明:该系统能够正确获得测量数据,满足了白光中子源的首批实验需求。

  • 标签: C6D6探测器 波形数字化 信号调理 PXIe平台
  • 简介:应用量子化学DVXα方法对钌系氰氯络合物进行了系统的理论计算和解析,确定了相应的稳定几何形态和微观电子结构,为合成、应用和深入研究它们的性能提供了重要的理论依据.

  • 标签: 钌系氰氯络合物 电子结构 DVXα方法
  • 简介:姜启源、谢金星、叶俊编写的《数学模型(第四版)》是国内影响最大的数学建模教材,很多高校将其作为数学建模教学和数学建模竞赛的指定教材和参考书。此次编写的《实用数学建模》(含基础篇和提高篇两册)是继《数学模型(第四版)》后,姜启源和谢金星两位教授编写的又一套数学建模力作。《实用数学建模》结合当前应用型人才培养的实际需要和应用型本科院校、高职高专院校数学建模教学的教学实际,选取简明、生动、贴近生活的教学案例,教学难度适当降低,注重数学建模教学与竞赛的适当结合,

  • 标签: 数学建模 人才培养数学 型人才培养
  • 简介:近年来我们详细翻阅了LouisLeithold著的《微积分教程》(第5版,1986)、LynnH.Loomis著的《微积分》(第3版,1982)、MurryH.Protter等著的《微积分与解析几何》上、下册(1977年版)、HarreyP.Geenspan等著的《应用数学导论》(第2版,1986)等国外英文版微

  • 标签: 无穷级数 级数发散 判别法 定理证明 函数极限 教材分析
  • 简介:在密度泛函理论的PBE1PBE/6-31G(d)水平上对呋喃查尔酮及其衍生物的几何结构进行优化计算.在获得基态稳定结构的基础上,应用含时密度泛函理论计算其电子吸收光谱,探讨了取代基和溶剂对电子吸收光谱的影响,计算结果与实验结果吻合很好,平均绝对偏差仅为3.3nm(0.04eV).结果表明,取代基的引入和溶剂极性的增大均使光谱发生红移.通过前线轨道分析,揭示了该类化合物的主要吸收峰均源自分子中HOMO→LUMO电子跃迁.

  • 标签: 呋喃查尔酮 电子吸收光谱 取代基效应 溶剂效应 含时密度泛函理论
  • 简介:用ZINDO、从头算和密度泛函理论方法研究荧光素及其衍生物的电子结构和光谱性质.计算结果表明母体双阴离子荧光素分子(1)与单(2)、双(3)取代形成的单阴离子荧光素分子的基态电子结构不同,而且1与2和3的基态和激发态的电子转移方向相反.体系1~3的最大吸收波长依次发生红移,与实验结果相符合.

  • 标签: 荧光素 电子结构 光谱性质 电子转移
  • 简介:阐述了利用法拉第效应测量电子荷质比方法的基本原理,包括样品色散关系的测量和非线性拟合。测量不确定度的深入分析表明,磁感应强度B与对应的旋光角θ的测量最为关键,其次是样品的色散关系,这为进一步提高测量精度指明了方向。

  • 标签: 法拉第效应 电子荷质比 不确定度
  • 简介:采用自洽场离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法对纯V2O5及夹层V2O5的能带结构、态密度、键强度、电子集居数等进行了研究.结果表明,Li+引入V2O2层间的最佳位置是在双键氧之下(或之上),且靠近层的中心位置,此时它与周围原子间的作用力非常微弱,并且材料的导电性增强,使夹层复合材料Li+注入/脱出具有很好的可逆性和较好的光学性质.

  • 标签: PEO 夹层复合材料 掺杂位置 电子结构 五氧化二钒 锂离子
  • 简介:采用HF、MP2方法和密度泛函理论BP86方法,对扩展卟啉(hexaphyrins)及2个Au+与之组成的双金属配合物的的几何结构、电子结构进行了理论研究,并采用TDDFT方法对2种体系的电子光谱等进行了计算.研究表明hexaphyrins与Au+配位使得体系出现了较为显著的电子相关效应,HF方法不适合该体系的研究,MP2方法和BP86方法给出了相近的几何结构.从简单的卟吩变化到扩展卟啉,体系结构的显著变化导致前线轨道的组成和能级也随之发生复杂的变化,因此很难用简单的四轨道模型对体系所有显著的电子跃迁给予明确的解释.由于Au+与hexaphyrins的配位对体系前线轨道的组成影响不大,因此对hexaphyrins-Au+紫外-可见光谱的计算和解析得到与hexaphyrins相似的结果.

  • 标签: 扩展卟啉 从头计算 密度泛函理论 电子结构 UV电子光谱
  • 简介:摘要随着科技强国的不断推进,中国智能技术呈现出来井喷的趋势,智能技术对于中国社会的发展将会起到举足轻重的作用,智能技术在工程设计中的运用具有较强的优势,电子信息工程自动化技术对于中国工业朝向智慧化的方向发展具有相当大的影响力。本文通过对电子信息工程自动化设计过程中智能技术在其中所起到的重要的作用做出分析,对未来智能技术在智慧工业工程中的运用奠定一定的基础。

  • 标签: 电子信息工程 自动化设计 智能技术 运用中图分类号TN0 文献标识码A
  • 简介:在神龙1号直线感应加速器(LIA)束参数测量工作中,采用的同步触发系统主要是由延时同步机如DS310完成的,它虽然可以产生较大时间范围内的延迟,但由于其工作主频为100MHz,其延迟时间设置的步长则为10ns,加上时基自身的精度,能够获得的延迟精度不会高于10ns;而Ln的其他环节(主要是发散以前的环节,如偏置Marx)在动作时也存在一定量的抖动,经实际测量约20-30ns,这样就无法很精确地确定测量时刻,如图1所示。因此在要求准确了解测量时刻及具有时间分辨测量要求的研究中,这种触发方式就不能满足要求。

  • 标签: 参数测量系统 触发方式 神龙1号 电子束 直线感应加速器 发式
  • 简介:DMX-I型电子模拟式手弧焊工训练器为国内首创的机电一体化的初级焊工训练器、本文对训练器商品化的前景,训练器的功能的完善等方面的问题进行了讨论.

  • 标签: 焊工训练器 商品化
  • 简介:通过利用龙格一库塔方法分析了强激光与磁化等离子体中有质驱动对电子的加速问题。研究发现在磁化等离子体中,有质驱动使得电子沿轴方向发生横向振荡,电子获得高的能量增益,而在等离子体中产生的自生磁场引起的共振进一步加速了电子,使电子能量增益进一步提高。且最终电子能量趋向一个稳定值,电子在有质驱动作用下自动喷射出来,这在实际应用中容易控制,避免了使用抽取高能电子的提取器,这为新型台式加速器的设计提供了有益的理论指导。

  • 标签: 磁化等离子体 有质驱动力 电子加速
  • 简介:在当今电子计算机发达的日本国珠算教育仍在盛行为把珠算教育工作推向新的发展阶段日本隆重召开加速强化珠算教育大会会上宣读了105万人签名的强化珠算教育书。文部大臣小杉隆先生接见珠算联合会代表。据日本《全国珠算新闻》报490期报道:日本全国珠算教育团体联合...

  • 标签: 珠算教育 电子计算 日本 社团法人 珠算学 政务次官
  • 简介:在高功率微波(HPM)的研究中,电子束同微波腔中微波场相互作用是大家所关心的问题,微波腔中电子束与微波场的相互作用,是一个闭环过程,微波场影响电子的运动,同时电子束作为电流源也产生辐射,影响微波场。不同微波腔的微波场不同,电子束同微波场的相互作用形式也不相同,但是在微波场作用下电子束群聚,群聚的电子束反过来影响微波场的自洽过程。

  • 标签: 电子束群聚 微波腔 时间分布 自洽 非线性 间隙
  • 简介:1引言线性代数是代数学最初等的部分,却也是代数学中应用最广泛的部分。实际上。它广泛应用于数学的其它分支以及物理、化学、工程技术、社会科学等领域。最近若干年来,随着各个学科量化研究的深入及电子计算机的普遍应用,它们对于线性代数的应用需求日益增长,

  • 标签: 线性代数 初等变换 线性相关性 矩阵表示 对角化 二次型
  • 简介:基于第一性原理,计算了MgSiP2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和.型MgSiP2的电导率,但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,,型MgSiP2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低,提高了型MgSiP2的功率因子,使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

  • 标签: MgSiP2 电子结构 热电性能 第一性原理计算