简介:<正>根据德国一项调查显示,2010年全球纳米技术创造的市场将达1万4400亿美元,而即将于今年七月十日创刊的日本《周刊纳米技术》编辑部所做的调查,则推估2010年纳米技术全球市场规模约为167亿美元,虽然两者数字差距颇大,但从绝对值来看,却是十分诱人。由于纳米技术应用领域相当广泛,包括材料科学、生命科学、信息电子、能源科学及环境科学等,目前世界各主要国家都争相发展纳米科技,纳米技术俨然成为下一代最重要的新兴关键科技。日本是全球最早投入大量资源从事纳米技术研究开发的国家之一,从目前的基础研究与应用成绩来看,日本在纳米技术总体实力领先欧美,甚至在许多领域还凌驾于美国之上,纳米碳管及纳米锥角(CarbonNanoHorn)都是由日本科学家饭岛纯男首
简介:介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3(001)衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁(MgO)衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。
简介:首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。
简介:文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.
简介:在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。