简介：本文建立三层平板光波导模型，推导出电场方程的具体形式，运用MATLAB对三层平板波导理论进行分析求解，使以往复杂的计算变的非常简单。将具体数值代人电场方程进行计算，取不同的波导层厚度时得到不同的波导模式，然后做出不同波导模式TE波的三维图形。最后介绍了三层平板波导理论在激光器模式理论中的应用。

简介：本文分析了低压中小型锅炉水处理现状和问题,介绍了YXF-A锅炉除垢防垢剂及其应用,提出加药处理是低压中小型锅炉实现不结垢运行的有效途径.

简介：1．引言手机电视、移动多媒体广播是指以广播形式向具有操作系统和视频功能的移动通信终端传送数字音视频内容（例如电视等），利用移动通信网络双向信道实现对业务及用户的管理和计费，并向用户提供互动应用的业务。

简介：拉格朗日（Lagrange）对偶是最优化方法中的重要理论。通过扩展AdHoc网络的效用最大化模型，分别对其“联合拥塞控制和随机接入”及“联合拥塞控制、路由和调度”两个问题进行建模，运用Lagrange对偶分解把建模后的问题转化为对应于各个不同层的子问题，通过分布的方式独立解决这些子问题不仅可以获得不同的跨层算法，而且可以最终解决全局最优化的问题。论文详细地分析了拉格朗日对偶在adhoc网络这两种跨层方法中的应用。

简介：本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究.结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降.这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大.

简介：实验中制备了不同厚度的缓冲层PBD修饰的有机电致发光器件以及没有缓冲层修饰的有机器件.通过比较发现缓冲层PBD的最优厚度为0.2nm,缓冲层PBD对于器件亮度有显著的影响.当缓冲层PBD厚度为0.2nm,相同电压下器件的亮度要比无缓冲层器件的亮度要高.当电压为16V时,PBD修饰的器件的亮度为1984cd/A,而没有缓冲层材料修饰的器件的亮度为1110cd/A,器件的亮度得到了提高.在电流密度为120mA/cm2的情况下,PBD修饰的器件的效率为3cd/A,要比没有缓冲层材料修饰的器件的效率(为2.6cd/A)高.最主要的原因是由于PBD是电子传输层,因此它对于空穴的注入起阻挡作用.所以缓冲层PBD阻挡和减少了空穴的注入,提高了电子和空穴形成激子的比例,从而提高了器件的效率.

简介：<正>中科大日前发布消息,该校熊宇杰教授课题组通过与江俊教授、张群副教授在材料设计与合成、理论模拟和先进表征中的"三位一体化"合作,在光催化复合材料设计方面取得系列新进展,成果发表在国际著名期刊《先进材料》上。每种特定的材料一般都具有某方面独特的性能及优势,材料的复合是突破单一材料性能瓶颈的有效途径。具体到光催化体系,复合材料中不同组成单元可以扮演产生及分离电荷、吸附活化分子等各种重要角色。然而,事实上复合

简介：体系对抗环境下，需要考虑电磁干扰对C4ISR系统应用层的影响。提出了从系统效能层和作战效能层评估防空CtISR系统抗干扰能力的方法。建立了系统抗干扰评估指标体系，介绍了评估指标的定量计算模型及其规范化处理方法。结合层次分析法，给出了系统在应用层抗干扰能力的综合评估模型。通过应用案例，阐明该评估模型的应用方法。实践证明，该评估模型对改进系统设计、提高系统效能具有一定价值。

简介：先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触（Contact）层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理：解析度和全间距的共有工艺窗口。离轴照明＋相移掩模＋亚解析度辅助图形多种解析度增强技术的组合使用是解决光刻成像的方法。从优化接触层离轴照明的类型方面解决光刻制造工艺的问题。

简介：KIC宣布新型ProBot于2012年10月正式开始装运。ProBot可自动确认每件印刷电路板在回流焊炉中的处理是否符合规格。疑似有缺陷的印刷电路板然后可被送至批次性X射线检测系统。因为通常的批次X射线机仅可检测少量组装的印刷电路板，ProBoL则可进行更有效的抽样。

简介：据业内消息称，紫光集团旗下的长江存储技术公司（YMTC）正在规划开发自己的DRAM内存制造技术，而且可能直奔当今世界最先进的20／18nm工艺。长江存储技术公司是紫光集团收购武汉新芯部分股权后更名而来的，并邀请了台湾地区华亚科技董事长高启全（CharlesKau）加盟，出任全球执行副总裁。

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：2004年清洗技术国际论坛暨清洗技术装备展览会的国际招展工作进行得风风火火.为使广大读者朋友能够详细了解本次展会的招展进程,记者特意采访了中国洗净工程技术合作协会国际合作部部长王荣年(以下简称"王")及助理刘赞(以下简称"刘").