简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:近日,信息产业部以“信部科(2000)453号”文和“信部科(2000)282号”文发布了“光波分复用系统(WDM)技术要求-32x2.5Gb/S部分”、“同步数字体系(SDH)上传送IP的LAPS技术要求”、“交换机ISDN用户接口在线测试功能”、“接入网技术要求-综合数字环路载波(IDLC)”和“接入网设备测试方法-带话音分离器的不对称数字用户线(ADSL)”等5项通信行业标准。现简要介绍如下:1.“光波分复用系统(WDM)技术要求-32x2.5Gb/s部分”标准的编号为YD/T1060—2000。该标准规定了32x2.5Gb/s的WDM系统的技术要求,针对采用共享掺饵光纤放大器EDFA技术和光纤1550nm窗口的密集波分复用系统。它的目标是将来提供不同系统间的横向兼容性,目前则只能达到部分横向兼容目的。本标准给出的某些具体参数针对32通路WDM系统,如波长区划分、光接口参数等,本标准中有关光放大器和主光通道的参数适用于单方向使用增益范围为192.1THz-196.1THz的光放大器的WDM系统。本标准规范的是点到点线性WDM系统和在OADM应用于线性结构的要求,不考虑OADM设备在环网...