简介:半导体在汽车市场的地位日显重要。在科技突飞猛进的今天,“智能功率”技术迎合了“硅上系统”和“封装中系统”市场快速增长的需求。汽车制造商和电子模块制造者找到一种更有效的适合其需要的工艺技术。事实上,他们在技术创新、价格、可靠性和环境标准方面都已经取得了非常大的进步。正是由于不断的技术改进和封装革新,使得现在能够谈论“封装中系统”,也就是说,将不同的硅片安装在一个模块中进行“机电一体化(Mechatronic)”的探索。它将机械、电气、电子和信息等部件完全地集成在同一模块中。机电一体化的方法帮助设计者从集中式结构到分布式结构的转变,推进了分布式功率密度的提高和引线的大量减少。本文阐述功率H型电桥的应用,并且将传统方法(继电器或者分立器件结构)与新型方法相比较,将一个H型全桥、保护电路、故障诊断电路集成为一个功率模块,而故障诊断信号又反馈到微处理器;还通过表面贴装器件(SMD)封装和印刷电路板(PCB)组成的系统优化散热来考虑热问题。为防止对汽车中其它电子系统产生干扰,文中还给出了电磁兼容的测量性能。
简介:电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。