简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
简介：
简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。
LIGA技术X光深层光刻工艺研究
LIGA工艺制造微驱动马达的初步研究
全新深亚微米X射线T型栅工艺
在3W1束线上进行X光深层光刻工艺研究
北京自由电子激光装置的现状及未来发展计划
