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  • 简介:本文证明了方程组(In+AB)x=0和(In+BA)x=0解的个数是一致的。

  • 标签: 线性方程组 矩阵
  • 简介:题目对质数P(P≥3),定义F(p)=∑p-1k=1k',其中,r为不超过p的正奇数;f(p)=1/2-{F(p)/2p},其中,{x}=x-[x]表示x的小数部分.求f(p)的值.

  • 标签: 数学奥林匹克问题 注记 正奇数 质数
  • 简介:克库勒结构和共轭圈对于苯环系统或冠状系统的分类及其结构特征的刻画起着重要作用,因此有关共轭圈的研究及其结果在诸多文献中出现.文章就广义冠状系统给出其有关共轭圈的下列结果:一个至多含有两条悬挂边且含有克库勒结构M的广义冠状系统必有一个M-共轭圈等.

  • 标签: 广义冠状系统 克库勒结构 共轭圈
  • 简介:本文利用勒让德多项式的性质证明了其导数多项式是[-1,1]上关于权1-x2的正交多项式.

  • 标签: 勒让德导数多项式 正交
  • 简介:本文从基本概念出发,通过对差商的实部和虚部的极限的分析讨论,给出了复变函数解析性的一个判别方法。

  • 标签: 解析函数 柯西—黎曼方程
  • 简介:GPS定位技术的应用已渗透到测量界的各个领域,尤其是实时动态差分GPS--RTK在野外实时定位,提高了工作效率。RTK具有观测时间短、精度高和无需两点之间通视等优点。使用RTK进行定位较常规方法,其简单、方便,可靠和快捷。这对于GPS测量技术的发展和普及,具有重要的现实意义。笔者通过在杭州市大比例尺航空摄影测量中高程点的测量,阐述其实施与原则及要注意的几个问题。

  • 标签: GPS测量技术 RTK技术 高程注记 应用 GPS定位技术 实时动态差分
  • 简介:本文研究文[1]中提出的一类择优增长系统,说明文[1]中利用主方程法求解系统的平均度分布及稳态度分布是值得商榷的,然后通过考虑系统中空团体的存在的可能性,对系统进行修正,并证明空团体存在的必要性。

  • 标签: 择优增长系统 度分布 无标度性 马氏链
  • 简介:本文证明了在扩大的分析的非标准模型中超实数域~*R,超有理数域~*Q,超自然数集~*N等集合的基数可以大于任何“标准基数”。

  • 标签: 扩大 超实数域R 转换原理 内集
  • 简介:摘要:函数的导数和函数本身之间有着密切的联系,但同时两者之间的关系也是学生容易混淆的地方,尤其是函数导数和函数单调性之间的关系。本文通过构造几个反例澄清了一些容易混淆的函数导数和函数本身之间的关系问题。

  • 标签: 函数 导数 连续 单调性
  • 简介:<正>非常偶然地翻到一本《古籍整理研究学刊》1991年增刊《古籍整理研究所专号》,是南开大学古籍所专号,上面有一篇赵永纪君《<论诗绝句辑>商》,对陕西人民出版社1984年版吴世

  • 标签: 论诗绝句 锦官城 黄州府 赤壁 专号 北宋
  • 简介:非负定性是数学中一个重要概念,本文提出了二元函数非负定性的两个定义,并且证明了它们的等价性.此外本文还给出了严格非负定条件下实正态过程存在的一个充要条件.

  • 标签: 非负定性 正态过程 分布函数
  • 简介:文献[1]给出了用超球多项式表示带调和函数的定理,但没有给出系数的具体表达式,文[2]给出了系数的计算公式,但其方法比较复杂且不够直观,本文用简单的方法证明了这一公式。

  • 标签: 带调和函数 球调和函数 超球多项式
  • 简介:针对多元线性回归方程的显著性检验问题,在随机误差服从任意分布的假设下,运用线性模型和随机变量二次型的相关理论,推导出总离差平方和分解式中各分量的数学期望,进而从定量的角度说明回归方程显著性检验中所取拒绝域的合理性。

  • 标签: 多元线性回归 数学期望 显著性检验
  • 简介:设(M^3,90)是非紧三维Riemann流形,其Ricci曲率非负,单射半径有正的下界,且当x→∞时数量曲率R(x)→0。则以(M^3,go)为初始值的Ricci流在M^3×[0,∞)上有长期解。这推广了马和朱最近的一个结果.在高维情形我们也有相应的结果,并且我们给Chau,Tam和Yu在Ktihler情形的类似定理一个新的证明。

  • 标签: RICCI流 无局部塌缩定理 拟局域定理 渐近体积比
  • 简介:摘 要:本文通过一个例题提出问题,进而给出求极限对非乘积因子使用等价无穷小代换的几种特殊情形并给出若干充分条件。

  • 标签: 极限   无穷小 等价无穷小
  • 简介:多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道,论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱.

  • 标签: 多孔硅 光致发光 发光机制
  • 简介:O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭(甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州(730000))//半导体光电.—1994,15(4).—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

  • 标签: 离子注入 半导体 光致发光光谱 电流密度 教育学院 锗酸盐石榴石