简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。
简介：
日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
保护地球 促进世界经济可持续发展——中国洗净工程技术合作协会理事长徐顺成在2005清洗技术国际论坛上的发言
科技万言书之二：中国衰落的危险与新的战略选择——建立在美国核心信息技术上的中国图景（1999年中国北京）
