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33 个结果
  • 简介:电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座.以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

  • 标签: 电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管 知识讲座 半导体功率器件 电力电子设备 器件设计
  • 简介:开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二管,

  • 标签: 二极管提高 交换器性能 升压型
  • 简介:电荷泵型锁相的设计主要集中在环路滤波器。为了解决各种环路滤波器对锁定时间要求较高,并在环路带宽较宽的应用中对参考频率附近杂散抑制不够,因而致使锁相相位噪声及杂散恶化的问题。文中以ADF4117为基础,给出了一种带三阶无源环路滤波器的电荷泵型锁相的设计方法。该方法能有效抑制杂散,使锁相输出达到良好的相位噪声及杂散指标。

  • 标签: 锁相环 电荷泵 ADF4117 环路滤波器 相位噪声
  • 简介:本文提出了电压型三相逆变器定频滞控制一种新方法。该方法主要根据直流侧电源电压、电动机反馈电动势和参考电流信号波形的微分改变滞电流宽度,实现开关频率的稳定。该方法的特点是不需要增加额外的模拟电路,完全数字化控制。使用Matlab仿真,仿真结果证明了该方法对电压型三相逆变器定频控制是有效可行的。

  • 标签: 电压型三相逆变器 定频滞环控制 滞环带宽
  • 简介:发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29%的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

  • 标签: 集成肖特基二极管 MOSFET DC-DC转换器 性能
  • 简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二管和采用两种超快、软恢复的硅功率二管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC二管只是在高开关频率时才是合算的。

  • 标签: SiC肖特基功率二极管 Boost功率因数校正器 性能评估 电磁干扰 半导体材料
  • 简介:本文介绍IGBT和快开关二管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

  • 标签: 沟槽-电场截止型IGBT 快速开关二极管 扩展安全工作区 加固耐用性
  • 简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体二管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

  • 标签: 体二极管 器件综合 应用 硬开关 功率MOSFET CFD技术
  • 简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

  • 标签: 肖特基二极管 砷化镓 功率因素校正 高功率密度 一代 功率因数校正
  • 简介:欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二管,该产品是同类产品中尺寸最小的二管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步,将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

  • 标签: 激光二极管 投影机 迷你型 优化型 欧司朗 蓝光
  • 简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

  • 标签: 功率模块 硅二极管 MOS场效应管 整流器 碳化硅 开关