简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。
简介:探讨了以无机物为原料,采用共沉淀法制备纳米掺锑氧化锡(ATO)粉体材料时,沉淀后处理对粉体性能的影响。研究采用3种方式对沉淀进行洗涤:(a)沉淀在饼状下直接水洗;(b)沉淀在分散状态下水洗;(c)沉淀在(b)洗涤后再醇洗等。粉体的透射电镜(TEM)结果表明:采用(c)洗涤的分散性最好。在沉淀中添加了几种表面活性剂以制备分散性良好的粉体。TEM结果表明:非离子型表面活性剂聚乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮K30制得的粉体为单分散性状态,而离子型表面活性剂十二烷基磺酸钠和油酸钠不能使粉体良好分散。x射线衍射(XRD)结果表明粉体的晶粒尺寸随煅烧温度的升高而增大。温度应高于310℃,Sb取代Sn的掺杂才可能进行。
简介:采用均匀共沉淀法制备了荧光黄含量不同的一组荧光水滑石(MgAl-LDHs—C20H12O5),研究了其晶体结构、外观形貌、荧光性能、表面官能团及热稳定性。X射线衍射(XRD)图谱显示少量荧光黄的加入没有影响水滑石的结晶性能,荧光水滑石具有典型的水滑石特征峰;扫描电镜(SEM)图片显示采用均匀共沉淀法制备的荧光水滑石是片层状结构,荧光黄均匀地吸附在水滑石片层表面;荧光水滑石样品在470nm波长光激发下的荧光发射光谱(PL)显示荧光水滑石在500-600nin间出现了1个黄光发射峰,其荧光强度与其中荧光黄的含量有关,荧光黄的含量要适中,过高或过低均影响样品的荧光性能;热重分析(TG)曲线表明荧光类水滑石的热稳定性比纯荧光黄提高很多;红外光谱(IR)显示荧光水滑石含有水滑石和荧光黄的特征官能团。
简介:以柠檬酸三钠为络合剂,采用络合反应快速冷冻共沉淀法制备出铜掺杂氢氧化镍超细粉体样品材料,采用XRD、SEM、TEM、TG—DSC、Raman和红外对其进行表征,同时将其作为正极活性材料组装成MH—Ni电池,测试了其电化学性能。充放电结果表明,样品电极具有较好的循环特性.当Cu的掺杂量为5%时,合活性物质80%的样品电极在恒流80mA/g下充电6h,40mA/g放电,终止电压为1.0V时.放电电压稳定于1.260V的时间较长,开路电位为1.462V,放电比容量可达362.976mAh/g,表现出其较高的电化学活性。