简介：国家经济贸易委员会1999年12月30日公布第16号令:《淘汰落后生产能力、工艺和产品的目录》(第二批)已经国务院批准,现予发布,自2000年1月1日起施行。

简介：[本期案例重点]职务侵占罪及其犯罪构成、刑事案件二审制度

简介：2006年1月26日召开了编辑委员会。在京部分编委参加。会议由本刊新一届编辑委员会主任委员蔡宣三教授和学会秘书长周亚宁主持。

简介：近日，烽火网络最新自主研发的F—engineS2200F系列全光口百兆二层交换机和F-engineS2200G系列全光口千兆二层交换机正式推向市场，这是烽火网络在完善以太网交换机产品线策略的重要一步，至此烽火网络二层交换机产品线已经形成S2000V、S2000M、S2200A、S2200F、S2200G、S2250六大产品系列。

简介：<正>继"汉芯一号"在去年上半年问世后,我国具有完全自主知识产权的"汉芯二号"和"汉芯三号"日前在沪宣布诞生。据悉,"汉芯二号"和"汉芯三号"都是高端的芯片,其中"汉芯二号"是我国首颗以IP专利授权的方式进入国际市场的"中国芯",国外公司在其产品中每嵌入一片"汉芯二号",

简介：北京时间7月20日消息，诺基亚发布了2006年第二季度财报。由于中国和印度市场手机销量的大幅增长，其第二季度净利润同比增长43％，超过了分析师的预期。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：2月25日，重庆市电信行业协会召开了二届三次理事会议。

简介：按照英国移动数据协会(MobileDataAssociation，简称MDA)公布的最新数据，英国移动电话用户在二月份共发送了22亿条文本短信。

简介：把你的业务稳定地移向利润池的深处——

简介：通过1973年3月广州会议和1974年4月常州会议,国内对晶闸管(可控硅)的质量、标准、可靠性等进行了整顿,对晶闸管装置组织全国产学研力量进行系列化的统一设计,提高了正确使用晶闸管的规范化水平。戴了七、八年"可怕硅"帽子的变流行业,出现了一片新气象。当时,大型轧钢设备、铁路电气化牵引、四川天然气东输工程(后来该项没有成功)等关系国民经济基础的重大工程项目正在酝酿,亟待高性能、高指标晶闸管走上可靠运行的产业化之路。这时机械部首次把变流行业(后来发展成电力电子行业)作为电工行业的一个独立小行业列入单独的行业规划序列。这样,1974年8月在西安丈八沟招待所举行了本行业的首次规划会议。

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：产业环境我国宽带市场步入了快速成长阶段,但普及率仍大大低于发达国家,我们应继续加快宽带发展,中国电信等运营商要进一步加大对宽带网络的投资,并继续联合自己的战略合作伙伴,着力开发更多能够吸引用户的内容应用,以此激活整个产业链,促进宽带市场的发展.

简介：法国第二大移动运营商SFR公司宣布截止于今年5月份其3G用户达到了10万，其中90％为消费者。与此同时法国电信旗下移动运营商Orange公司称到今年底其3G用户将达到50万。

简介：提出了一种利用计算机产生和再现具有缺陷结构和复式结构的二维光子晶体的菲涅尔全息图的数字方法。采用博奇编码方法，应用C语言和Matlab语言的混合编程下实现全息图的制作，并直接应用数字滤波技术消除了虚象和零级象，模拟再现出实象。

简介：上期我们了解了S689手机铃声、图片的下载方法，也发现WAV格式的铃声音质很美，能否将自己喜欢的歌声转化为手机的铃声呢?答案是肯定的，下面就介绍将MP3音乐制作为S689WAV铃声的方法。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：一、项目背景北京市高级人民法院下辖3个中级法院和18个基层法院以及55个派出人民法庭．每年受理各类案件约30万件。为了提高审判工作质量．北京市高级人民法院把信息技术在审判工作中的落实到实际应用。