简介:介绍了在普通压力机上加工特殊端面锯齿结构的制件及实现端面冲齿的工艺方法,并对其模具结构及设计原理进行了详尽的分析和介绍。
简介:叙述了采用滚压工艺生产油压千斤顶调节螺杆的特点,计算了滚压前毛坯的直径及公差,并详细介绍了滚压轮设计。
简介:
简介:本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分:1、回顾;2、技术关键;3、展望。
简介:本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜,反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明:随着CH4流量的增加,金刚石的成核密度增加,并出现二次形核,金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层,金刚石在非晶碳层上成核长大,并伴随着二次成核,最终形成多晶金刚石膜。
简介:在六面顶压机的工作过程中,顶锤空程前进到达的位置是由行程调节部分调定的。大部分压机的行程调节部分由图1所示,行程是靠调节螺母5的位置来进行调节。
简介:分析了塑件带嵌件且有多滑块抽芯的成型工艺及模具成型结构对塑件质量的影响,介绍了正确的浇注系统选用及模具成型部分和总装结构的设计。
简介:本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。
简介:本文论述了采用温度梯度法在人造金刚石生长中的添加N、B杂质元素对生长温度的影响。
简介:宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本,在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。
简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。
简介:本文研究了在高温高压条件下,用FeNi合金做催化剂生长金刚石单晶时金属膜的显微形貌。
弹力调节器工艺及模具
调节螺杆滚压工艺及滚压轮设计
金刚石生长不好的关键所在
碳源特性与金刚石晶体生长
自发成核生长大单晶金刚石
静压法生长金刚石的几个问题
MPCVD多晶金刚石薄膜的生长特性研究
高压设备的类型与金刚石的生长
六面顶压机行程调节部分的改进
气流转换调节阀体注射模设计
关于高温高压生长金刚石单晶产量的讨论
高温高压合成金刚石中掺杂对生长温度的影响
宽带隙薄膜材料核化与生长机制及其性质的研究
两步生长法制备大面积HFCVD金刚石薄膜
FeNi合金做催化剂高温高压生长金刚石的金属膜
再谈传压介质问题—关于金刚石生长环境的化学成分