简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。
简介：日本AsahiDenka和Kanasai电力公司日前开发出一种耐400℃的绝缘树脂。其中一品种牌号为“纳米树脂KA-100”，其为以聚硅氧烷为主要成分的热固性树脂，其重要特征为能粘结各种不同分子结构的纳米级化合物，故实用与潜能较可观。如将其用于SiC变换器能使发电功率达100kVA，
简介：2003年我国绝缘材料产量达到230kt，比2000年增长35％以上。我国已成为世界绝缘材料的主要产地。
简介：据物理学家组织网12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。
半绝缘GaAs晶片市场
耐400℃的绝缘树脂
我国成为世界绝缘材料主要产地
科学家首次用压力调节材料半导体变身拓扑绝缘体
