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《北京同步辐射装置年报》
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2002年1期
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FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后的微结构分析
FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后的微结构分析
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摘要
研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,和Co的元素分布不相同。
DOI
ojzz53gyj5/2124494
作者
麦振洪;王俊;丁永凡;吴忠华;王勇;刘翠秀
机构地区
不详
出处
《北京同步辐射装置年报》
2002年1期
关键词
FeMn/Co多层膜
BI
微结构
磁控溅射法
界面
反铁磁/铁磁交换偏置系统
分类
[核科学技术][核技术及应用]
出版日期
2002年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
北京同步辐射装置年报
2002年1期
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FeMn/Co多层膜
BI
微结构
磁控溅射法
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反铁磁/铁磁交换偏置系统
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