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GaN基量子点结构的喇曼特征

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摘要采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

DOI y2d3kpr7j9/284967

作者顾海涛;熊贵光

机构地区不详

出处《光学与光电技术》 2003年1期

关键词量子点喇曼频移微扰理论

分类 [机械工程][光学工程]

出版日期 2003年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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光学与光电技术

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量子点喇曼频移微扰理论

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