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《电子元器件应用》
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Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET
Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET
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摘要
VishayIntertechnology。Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB.该器件采用MICROFOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。
DOI
kd2n5glxd6/613038
作者
机构地区
不详
出处
《电子元器件应用》
2008年8期
关键词
功率MOSFET
通道
面积
占位
MICRO
芯片级封装
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2008年08月18日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电子元器件应用
2008年8期
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