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Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

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摘要 VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

DOI rdxg53wl4l/742049

作者

机构地区不详

出处《电子元器件应用》 2009年5期

关键词功率MOSFET 低导通电阻第三代通道 SO-8封装 Inc

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2009年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子元器件应用

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