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InP晶片表面优化处理及键合性质分析

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摘要采用原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）对不同处理流程后的InP（100）表面粗糙度及化学成分进行测试分析，优选出C、O元素浓度较低，且表面均方根粗糙度影响较小的表面清洗方法。通过比较键合结构的薄膜转移照片可知，表面清洗后的干燥与除气步骤可较好地去除键合界面中的空洞和气泡，从而提高键合质量。键合结构的电子显微镜（SEM）照片，X射线双晶衍射曲线（XRD）及I-V测试分析表明键合结构具有良好的机械、晶体及电学性质。

DOI kd20yy9r46/879562

作者何国荣;渠红伟;郑婉华;陈良惠

机构地区不详

出处《光学与光电技术》 2010年3期

关键词键合 X射线光电子能谱微观粗糙度薄膜转移 X射线双晶衍射

分类 [机械工程][光学工程]

出版日期 2010年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）