采用台积电（TSMC）0．1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证；改进了器件的噪声模型，给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在遵守模拟电路设计的八边形法则的基础上，对参数进行折衷考虑（trade—o国和整体优化处理。仿真结果表明，此运算放大器的各项主要参数均满足预期要求，性能优异。
电脑与电信
2012年9期
