设计了一种新型无运放的带隙基准电路,利用电流镜和负反馈技术省去了运放,消除了运放带隙基准电路中失调电压对基准精度的影响,提升了电源抑制比。相比于传统的无运放带隙基准结构,该新型电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.35μm的BCD工艺,在CadenceSpectre环境下进行了仿真。在5V电源电压下,电源抑制比为79dB,-40~125℃温度范围内的温度系数为4.2×10-6/℃。
电子与封装
2018年4期
