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《电力电子》
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2005年4期
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飞兆半导体推出30V汽车应用HOSFET
飞兆半导体推出30V汽车应用HOSFET
(整期优先)网络出版时间:2005-04-14
作者:
电子电信
>电路与系统
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资料简介
飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET,在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。
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飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET,在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。
来源期刊
电力电子
2005年4期
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相关关键词
飞兆半导体公司
汽车应用
MOSFET
尺寸封装
空间应用
N沟道
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