Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件,作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。
现代材料动态
2007年9期