简介：<正>据《OplusE》(日)2003年第9期报道,日立制作所正着手开发使用SiGe衬底的80Gbit光通信IC。高速光通信IC通常使用价格昂贵的GaAs衬底等化合物半导体材料。日立制作所采用分割多重技术,并使用SiGe衬底材料,使低价格优质产品投放市场。随着高速化光通信网的快速发展,80Gbit光通信IC的需求不断增加,开发SiGe衬底80GbitIC是对GaAsIC的一次挑战。
日立开发80Gbit光通信IC
