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1200V、550A碳化硅DMOSFET对偶模块的特性

作者：许平;刘鹿生（译）
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2010-05-15
出处：《电力电子》 2010年第5期

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。
标签：实验特性碳化硅模块对偶电力电子器件开关电路

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