简介：FUJI研发了对应双轨道生产的小型高性能丝网印刷机[NXTP]。[NXTP-M25]配置有印刷和传送两个轨道，是一台具有独自更换结构的最新双轨道印刷机，该机器对应2台连接和背靠背运用。

简介：便携式超声波洗衣机由高弹性传导纤维制成,将它折叠后可以很容易地放进背包里,便于外出旅行时携带。这个产品的主要部件是超声波发生器、触摸显示屏、由高弹性传导纤维制成的软性洗涤腔、连接水源用的进水器和排污用的出水槽,还有充电器等备用附件。

简介：溴化锂吸收式制冷机作为一种无污染制冷设备,在各行业被广泛使用,广大用户也逐渐积累丰富的维护保养经验,比如蒸发器、吸收器、冷凝器管程污垢的定期清洗已得到用户的重视。但对于溴化锂溶液内腔及蒸发器、吸收器、冷凝器壳程污垢的清洗由于溴冷机结构的特殊性,往往被用户忽视。

简介：All-opticalwavelengthconvertersareexpectedtobecomekeycomponentsinthefuturebroadbandnetworks.Hereatwo-segmentDFBlaserforthefirsttimeisusedasanall-opticalwavelengthconverter.Usingthislaser,all-opticalwavelengthconversionfrom1.3μmtp1.55μmisdemonstrated。

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

简介：

简介：直升机在飞行过程中极易发生旋翼结冰现象,旋翼结冰对直升机的危害极大,为有效除冰和保障飞行安全必须进行旋翼结冰探测。研究通过分析旋翼的结冰特性、结冰机理和结冰范围以及激光三角法探测原理,探讨了一种基于激光三角法的非接触式旋翼结冰探测技术,该技术通过测算旋翼前后缘高差的方法,确定旋翼结冰厚度和速度。详细阐述了实现原理,给出了具体实施方案和实际应用中的不足与弥补方法,同步探测控制、偏振与检偏、浮动阀值等处理手段的应用有效地保证了测量精度和可靠性。

简介：Superluminescencediode(SLD)moduleswithwidespectrumcharacteristicsarerequiredinfibergyroscopes.A1.3μmbutterflypackagedsuperluminescencediodewiththespectrumwidthover30nmisreportedandrecentadvancesinprocessofSLDisdescribedinthepaper.TheSLDmoduleshavebeenappliedtofibergyroscopes.

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.

简介：一年一度的全球消费电子盛典——2011国际消费电子产品展（简称CES）在拉斯维加斯再度揭开序幕。CES堪称消费电子业界的世界杯，在百万平方英尺展区内吸引了来自2700个展商和来自110个国家约14万参展人员。多元化科技创新领导者3M公司以多种前沿科技为参展者呈现了数字沟通的变革方向以及交互和移动式交流的更高境界，由此成为展会亮点之一，受到了与会人员和全球媒体的广泛关注。

简介：摘要TCP/IP协议在日常生活中起到很大的决定性作用，TCP/IP实现了数据通信，并且实现了准确无误地传输数据。在数据采集方面，如何充分地利用TCP/IP协议，并且使之能更好地为人们服务，仍需要相关人员进行深入研究，并且这个问题的关注度也在持续增长。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：Asimpleandeffectivegreedyalgorithmforimageapproximationisproposed.Basedonthematchingpursuitapproach,itischaracterizedbyareducedcomputationalcomplexitybenefitingfromtwomajormodifications.First,ititerativelyfindsanapproximationbyselectingMatomsinsteadofoneatatime.Second,theinnerproductcomputationsareconfinedwithinonlyafractionofdictionaryatomsateachiteration.Themodificationsareimplementedveryefficientlyduetothespatialincoherenceofthedictionary.Experimentalresultsshowthatcomparedwithfullsearchmatchingpursuit,theproposedalgorithmachievesaspeed-upgainof14.4～36.7timeswhilemaintainingtheapproximationquality.

简介：北京汉仪科印信息技术有限公司于2005年8月推出了30款OpenType字库-汉仪宝典之开元字宝1．0版。

简介：Areviewontheprogressofpowerful2μmsilicafibersourcesinpastdecadesispresented.Wereviewthestate-of-the-artrecordsandrepresentativeachievementsof2μmhigh-average-powercontinuouswave,pulsedfiberlasersandamplifiers,andpowerfulsuperfluorescentsources.Challengeswhichlimitthefurtherpowerscalingof2μmsilicafibersourcesarediscussed,includingpumpingbrightnesslimitation,thermalproblem,andnonlineareffects.Potentialandpromisingroadmapstogobeyondtheselimitations,liketandempumpingandbeamcombining,arediscussed.Prospectsofpowerful2μmsilicafibersourcesarealsopresentedintheendofpaper.

简介：Self-organizedIn0.5Ga0.5As/GaAsquantumislandstructureemittingat1.35μmatroomtemperaturehasbeensuccessfullyfabricatedbymolecularbeamepitaxy(MBE)viacycled(InAs)1/(GaAs)1monolayerdepositionmethod.Photoluminescence(PL)measurementshowsthatverynarrowPLlinewidthof19.2meVat300Khasbeenreachedforthefirsttime,indicatingeffectivesuppressionofinhomogeneousbroadeningofopticalemissionfromtheIn0.5Ga0.5Asislandsstructure.Ourresultsprovideimportantinformationforoptimizingtheepitaxialstructuresof1.3μmwavelengthquantumdot(QD)devices.

简介：　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.　　……