简介:LED是一种将电能转换为光能的半导体固态发光器件。其电光转换的机理是,在某些半导体材料的PN结中,载流子在电势差作用下循环往复地移动,当空穴和电子相遇而产生复合,电子会跌落到较低的能阶,同时以光子的方式释放出能量,从而把电能转换为光能。LED用于节能照明,它比传统的电阻发热、电弧惰性气体反应、荧光放电等光源,相同功效下其额定电压更低工作电流更小性能更稳定。LED可以产生各种单色光及多基色复合日光,这种照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。