简介：<正>在关于硅材料先进科学和工艺的第三届国际会议上,日本超级硅研究所(SSI—SupersiliconcrystalResearchInstitute)发布了迄今最先进的直径400mm(16英寸)硅单晶片制造工艺。SSI是日本于1996年组建的、有日本政府财政支持的旨在进行400mm硅单晶生长和晶片加工研究开发的集团。组建时,SSI的官员曾预料,2008年开始使用400mm硅片,但在这次会议上,他们认为要到2014年才会开始使用。SSI的权威人士称,他们已开发出

简介：Therandomstepmaneuverwithuniformlydistributedstartingtimeshasthedisadvantagethatitcannotfocusthestartingtimeonthemoreefficiencytime.Itdecreasesthepenetrationprobability.Toresolvethisproblem,arandomsteppenetrationalgorithmwithnormaldistributionstartingtimeisproposed.Usingtheshapingfiltersandadjointsystemmethod,themissdistancewithdifferentstartingtimescanbeacquired.Accordingtothepenetrationstandard,thetimewindowensuringsuccessfulpenetrationcanbecalculatedanditisusedasthe3σboundofthenormallydistributedrandommaneuver.Simulationresultsindicatethatthenormallydistributedrandommaneuverhashigherpenetrationprobabilitythantheuniformlydistributedrandommaneuver.

简介：ＰｒｏｂａｂｉｌｉｓｔｉｃＡｎａｌｙｓｉｓａｎｄＭｕｌｔｉｃｒｉｔｅｒｉａＤｅｃｉｓｉｏｎｆｏｒＭａｃｈｉｎｅＡｓｓｉｇｎｍｅｎｔＰｒｏｂｌｅｍｗｉｔｈＧｅｎｅｒａｌＳｅｒｖｉｃｅＴｉｍｅｓＷａｎｇＪｉｎｇ（Ｉｎｓｔ．ｏｆＳｙｓ．Ｅｎｇ．，Ｄａｌｉａ...

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简介：<正>随着半导体业逐渐地走出2008/2009年低谷,450mm硅片的可行性再次提上议事日程。目前450mm最大问题集中在研发成本及未来投资的回报率。

简介：<正>据报道,美国InteI公司日前推出五款用于通信系统的超薄闪存芯片,该芯片具有存储空间大、耗电低和体积小等优点。

简介：<正>半导体制造设备巨擘应用材料公司(AppliedMaterialsInc.)在由芯片制造联盟(InternationalSematech)主办的全球经济研讨会上表示,半导体产业在开发(?)300毫米制造设备和技术方面已花费大约200亿美元,收回这些投资可能需要30年时间。半导体产业仍将

简介：<正>由北京有色金属研究总院承担的"直径200mm硅单晶抛光片高技术产业化示范工程"项目2003年12月19日通过国家验收。该项目是北京有色金属研究总院利用自主知识产权技术,集几十年来在硅材料领域的研究成果和产业化经验,在8英寸硅单晶抛光片技术开发和5英寸、6英寸硅单晶抛光片产业化技术基础上,进一步提高产业化水平,形成了年产8英寸硅单晶抛光片6000万平方英寸的生产能力的生产线。也是我国目前建设成功的第一条可满足0.25μm线宽集成电路需求的8英寸硅单晶抛光片生产线。

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简介：Comparedwithaccuratediagnosis,thesystem’sselfdiagnosingcapabilitycanbegreatlyincreasedthroughthet/kdiagnosisstrategyatmostkvertexestobemistakenlyidentifiedasfaultyunderthecomparisonmodel,wherekistypicallyasmallnumber.BasedonthePreparata,Metze,andChien(PMC)model,then-dimensionalhypercubenetworkisprovedtobet/kdiagnosable.Inthispaper,basedontheMaengandMalek(MM)?model,anovelt/k-faultdiagnosis(1k4)algorithmofndimensionalhypercube,calledt/k-MM?-DIAG,isproposedtoisolateallfaultyprocessorswithinthesetofnodes,amongwhichthenumberoffault-freenodesidentifiedwronglyasfaultyisatmostk.ThetimecomplexityinouralgorithmisonlyO(2nn2).

简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

简介：英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS），1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。

简介：<正>英特尔(Intel)的研究人员PaoloGargini日前表示,基于450mm基片的晶圆厂预计将在2012～2014年出现,可能耗资40～50亿美元。在英特尔总部举行的报告会上,英特尔演示了一个400mm的晶圆基片。Gargini指出,产业很可能赞同把450mm基片作为下一代晶圆尺寸。英特尔和其它芯片厂商正在开

简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势。根据不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计。首创了一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具,现场实验取得了

简介：<正>我国首条可满足0.25μm线宽IC需求的200mm(8英寸)硅单晶抛光片生产线——硅单晶抛光片高技术产业化示范工程日前通过整体验收。业内人士认为,200mm硅单晶抛光片示范工程项目,可在一定程度上满足

简介：Anovelapproachtogenerate60GHzopticalcarriersuppression(OCS)millimeter-wave(mm-wave)signalbasedonthesaturatedopticalparametricamplification(OPA)effectinhighnon-linearfiber(HNLF)isinvestigated.Intheproposedsystem,theOPAeffectoccurswhenthesignalandpumpwith30GHzfrequencyintervalaresetintothehighnon-linearfiber.BycontrollingthelengthofHNLF,OPAeffectsaturates,andthepumppowerisdeliveredinalargeextenttothesignalandidlerlight,soa60GHzOCSmm-waveisgenerated.Thesystemdoesnotneedhigh-speedexternalmodulator,high-frequencyvibrationsourceornarrow-bandfilter,whichgreatlyreducesthecostandimprovesthestabilityoftheradiooverfiber(ROF)system.Resultsshowthatthe10Gb/sdownstreamsignalcanbetransmittedwithnegligiblepowerpenalty.

简介：<正>美国市场调查公司InformationNetwork日前公布的一份报告称,中国大陆的总体IC需求增长速度将继续超过其芯片产量增长速度。即使中国大陆大规模扩大晶圆厂的产量,包括在2006年前兴建五家新的300毫米晶圆厂,也改变不了上述局面。到2006年,中芯国际可能拥有三家300毫米晶圆厂,而宏力半导体在2005年动工兴建

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