简介：从控制和驱动电路设计者的角度,设计了Mach-Zehnder干涉仪型SOI热光开关的电学模型,对模型的电学特性进行的模拟及实验电路验证表明所设计的模型可以用来在电学实验中取代SOI热光开关,最后讨论了电学模型的应用.

简介：随着集成电路设计技术及工艺技术的发展，元器件的工作频率越来越高，对微电子封装技术的要求也越来越严格。目前，BGA与MCM作为逐渐普及的封装形式，其基板上都有大量的过孔，在高频时必须考虑过孔寄生参数对芯片电性能的影响，特别是针对于射频电子和高速数字IC。文章以CBGA基板过孔为例，通过有限元方法初步探讨了不同参数的过孔其寄生参数RLC的变化趋势。并以其中一组寄生参数分析了对某理想放大器电路输出波形造成的过冲与畸变等影响。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：RC821型双台车电阻炉尽管生产效率较高,然而热能未充分利用。本文介绍了对其附件的改造及利用,提高了装炉量,降低单耗,方法简单易行,效果非常显著。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：摘要小学阶段语文的学习主要分为阅读和写作，随着新课程标准的实施，小学语文课本的阅读量逐渐被提上议程。要提高学生的语文能力，阅读是必不可少的，针对当前小学阶段语文教学中阅读存在的问题，本文展开相关探讨，旨在找出提升小学生阅读量进而提高学生语文素质的方法。

简介：

简介：超薄（或说零厚度）微带线是微波电路设计的重要组成部分。基于矩量法，推导了零厚度微带线电磁参量的公式，计算了微带线的特性阻抗和相应的等效介电常数，探讨了微带线的准静电边缘效应和两条微带线间的近端串扰问题。计算结果与已有结果相比较，一致性良好。

简介：<正>市场研究机构Gartner预估,2012年印度市场的半导体组件消耗量将会是全球成长最快的,金额达到92亿美元,较2011年成长20%。"印度半导体组件消耗量的成长动力,来自当地人口的增加、消费者所得提升、经济成长以及有利的官方政策;"Gartner研究总监

简介：<正>货币供应量,是现在许多经济媒体、专家甚至老百姓都关心和讨论的热门话题。大家关心货币供应量对中国经济的影响,讨论最多的是中国的货币供应量是不是太多了?经济学家和政府官员站出来列举各种数据,说现在中国的货币供应量已经超过103万亿人民币了,是我们当前GDP的两倍,已经超过美国的货币供应量10万亿美元。但由于货币供应量数据统计的局限性,且中国和美国M2的数据组成不完全相同,我们不能迷信货币供应量对货币政策的参考价值。

简介：摘要公共交通关系着人们的出行，随着当今环保理念的普及以及交通拥挤的日益加重，公共交通成为了多数人采用的出行方式，公共交通的运营量的预测对政府部门交通预算的管理有着重要意义。灰色理论预测方法是按照已有的历史信息数据，通过确立一个从过去的历史信息数据到未来的信息数据的GM模型，进而通过分析历史信息数据在将来发展规律的趋势，本文主要通过灰色预测模型GM(1,1)对重庆主城区未来10年公共交通运营量进行预测。