简介:低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术,文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。
简介:文章讨论了低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo—FiredCeramic——LTCC)埋置电感的几何结构,并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响,并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试,仿真结果与实测结果完全一致,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。
简介:介绍了共烧陶瓷多层基板自动光学检测系统中的计算机视觉检测识别的研究,重点介绍了基板图像的采集、预处理、缺陷图像的提取和分类识别方法等。文中提出了一种基于多模板比较和链码跟踪识别的缺陷分类识别算法。实验表明,该算法运算简单,运行速度较快,故障识别率高。
简介:6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。
简介:F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计方法,并设计了一款S波段高效F类功率放大器,输出功率大于10W,实际效率达到75%,增益大约12dB,实测结果验证了仿真设计的有效性。
低温共烧陶瓷基板及其封装应用
低温共烧陶瓷LTCC埋置电感的研究
共烧陶瓷多层基板表面缺陷视觉检测方法研究
总投资60亿英诺赛科宽禁带半导体项目落户吴江
一种F类宽禁带高效功率放大器的设计