简介:滤波器在射频、微波电路中发挥重要作用。不断出现的无线通讯系统应用对滤波器提出了前所未有的挑战:更高的性能指标、更小的尺寸质量、更低的成本已成为新型滤波器必须满足的基本要求。援引了一个Ka波段Hairpin耦合结构的双通带滤波器原型,每一个耦合支的长度大约为两个通带中心频率对应的四分之一波长。然后基于PSO算法和IE3D仿真软件对滤波器进行优化,优化的最终结构体积很小,其大小仅为5.5mm×2.7mm,但两个通带的插入损耗仅相差0.5dB;另一方面,两个带内的S11都下降到了-28dB左右,最终生成了微带滤波器的版图。
简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。
简介:在综述微波功率AlGaN/GaNHFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。