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简介：<正>据路透社援引俄罗斯当地报纸的一则报道称,俄罗斯一家名为Sistema的公司最近呼吁俄罗斯当局禁止其对手厂商生产的同类IC芯片产品进口到俄罗斯市场。Sistema目前与意法半导体公司有合作关系,双方正在合作生产90nm制程的电视,GPS,手机,电子护照等产品用的IC芯片。这家公司的国企背景深厚,着名的俄罗斯国有半导体企业俄罗斯纳米技术集团便是这家公司的大后台

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简介：<正>Agere公司日前宣布推出业界首个单芯片48端口千兆以太网(GbE)交换芯片和功率最低的GbE八端口物理层芯片(PHY)。新推出的产品瞄准日益增长的GbE芯片市场。根据行业分析公司IDC的数据,2005年GbE芯片市场规模预计将超过10亿美元。

简介：<正>大多数半导体芯片都是用硅制成的,虽然塑料价格低廉,但在制作芯片之前,需要对其作很大改变,其属性必须能够得到极精微的控制,才足以挑战硅片的地位。塑料芯片的最大优势在于极低的制造成本,其成本仅几美分,而目前一家半导体制造厂的建设和启动成本高达20亿美元,这使得芯片成本始终居高不下。

简介：本文介绍了国际上确好芯片KGD技术的研发现状,以及在高密度多芯片封装中的应用.

简介：<正>据报道,日本富士通公司开发出了新型倒装芯片封装技术。该技术可形成35微米超细间距的焊点和高精度的倒装芯片互连。与传统倒装芯片互连相比,该项技术突破性将连接密度提高了大约50倍。传统的倒装芯片技术为了避免焊点间的短路,焊点间距大约介于

简介：<正>众所周知,历来计算机芯片都是以硅晶体为基础材料而研制和生产的;但是随着现代科学技术的进步和发展,这种局面将有所改变。目前,科学家们已经找到一种方法,能够用成本低廉的塑料来取代用于制造集成电路的硅材料。塑料芯片将会成为一种现实而变为芯片家庭中的一员。

简介：文章首先介绍了SOC系统的DFT设计背景和DFT的各种测试机理，包括基于功能的总线测试机理、基于边界扫描链的测试机理、基于插入扫描电路的测试机理以及基于存储器自测试的测试机理。然后以某专用SOC芯片为例提出了SOC电路的DFT系统构架设计和具体实现方法。主要包括：含有边界扫描BSD嵌入式处理器的边界扫描BSD设计，超过8条内嵌扫描链路的内部扫描SCAN设计，超过4个存储器硬IP的存储器自测试MBIST，以及基于嵌入式处理器总线的功能测试方法。最后提出了该SOC系统DFT设计的不足。

简介：<正>《今日电子》报导,用拥有中国自己专利技术的开关电源芯片生产的手机充电器在天津手机国际采购配套会上成功展出。南京通华电信有限公司去年七月在国内率先研制出两款投入商用的开关电源芯片,包括正在开发的PFC等三款芯片,申请有8项国际专利,使国内的制造企业生产出第一个采用自己的电源芯片的电视机、计算机电源、LCD显示器、DVD、DVB、传真机、手机充电器等产品。而成本都大大低于国外的芯片解决方案。

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简介：近日,三星电子在位于美国的2018年三星半导体代工论坛上,公布其全面的芯片制程技术路线图,目前已经更新至3nm工艺。据介绍,三星的7nmLPP将成为该公司首款使用EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为LPE和LPP两代.

简介：随着集成电路特征尺寸的减小，集成电路对ESD的要求越来越高，同时集成电路面积和引脚数量的增加，使得全芯片的ESD保护成为挑战。SCR器件相对于其他器件，具有相同面积下最高的ESD保护性能。文章以SCR保护器件为基础，介绍一种新型的ESD保护架构——ESD总线。从全模式和混合电压芯片的ESD保护出发，进而提出了全芯片ESD保护结构，针对现代集成电路芯片引脚不断增多的特点，以及系统集成带来的多电压模式问题，提出了使用ESD总线结构的保护方案来实现全芯片的ESD保护。

简介：<正>据报道,美国InteI公司日前推出五款用于通信系统的超薄闪存芯片,该芯片具有存储空间大、耗电低和体积小等优点。

简介：随着芯片设计业务线宽的不断减小与复杂程度的持续提高,基于传统架构的IT平台逐渐在资源调度、算力、扩展性、复用性等方面面临更高的挑战。参考云技术在工业设计方面的应用,结合芯片设计业务特征,提出了芯片设计行业设计办公一体化云平台的建设思路,将资源柔性管理与应用的理念注入基础平台建设。最后对云技术在芯片设计行业的应用发展方向进行了展望。

简介：随着现场总线技术的不断发展,CAN总线在实际中的应用越来越广泛,这对CAN通信的可靠性提出了更高的要求。另外,用户的低压应用越来越普遍。针对这两个方面的要求设计了一款低压高可靠CAN协议芯片,通过芯片中的错误管理逻辑提高了通信的可靠性。

简介：<正>美国知名科技网站CNET、最新报导,美国加州纳米技术研究院(简称CNSI)成功使用MoS2(辉钼,二硫化钼)制造出了辉钼基柔性微处理芯片,这个MoS2为基础的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小,功耗极低,辉钼制成的晶体管

简介：<正>美国DARPA微系统技术局副局长马克·罗斯克表示,基于GaN的芯片已经达到了一定程度的可靠性和生产量。这种新一代芯片将在很大程度上取代GaAs芯片,特别是在各种高性能的用途中。科锐、雷声和洛克希德·马丁的项目经理们表示,GaN有望使芯片的价格更为合理,效率更高且系统性能更为强

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简介：<正>英特尔日前宣布,公司研制出采用65nm技术的试验性芯片,并预计在2005年将成为首家生产这种芯片的厂商。目前广泛应用的芯片为130nm;而90nm芯片则预计明年初量产。英特尔称,其静态随机存取内存测试芯片上的晶体管极小,在仅一平方毫米的面积上,