简介：在系统芯片(SOC)技术飞速发展的今天，作为几乎所有SOC不可或缺的组成部分，智能电源类IP核的研究开发日益显出其必要性和迫切性。本文给出若干电源类IP核的设计实例，包括电压参考源、电压调节器、振荡器、欠压锁定比较器、电压过零比较器等，并将使之能支持多种SOC的设计。

简介：近日，由国民技术牵头，联合武汉天喻、深圳大学共同承担的国家科技重大专项“双界面金融卡SoC芯片研发与产业化项目”顺利通过“核高基”课题验收，成为我国首家通过此类课题的项目承担单位。

简介：对微孔金属化前处理进行了深入的研究。利用正交实验确定了等离子清洗的最佳条件，利用全面实验研究了等离子清洗，超声波清洗，PI调整等在微孔沉镀铜方面的应用，并通过重复性实验证明了以上实验结论的可靠性，从而实现了在公司现有条件下微孔金属化的目标。

简介：ARM宣布其旗舰产品CortexTM—A15MPCoreTM处理器的高性能、能耗最优化的四核处理器硬宏实现已经面世。

简介：中科院计算所所长李国杰院士近日表示，国产龙芯三代芯片预计将在明年年初正式推出，龙芯三将是我国自主产权的首款多核处理器，它的面世将打破国外多核处理器的垄断局面，提升我国国产CPU的整体水平。

简介：概述了化学镀Cu用的前处理工艺-A1katpe工艺,适用于制造高密度PCB.

简介：

简介：DDR3SDRAM是新一代的内存技术标准，也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本，随着越来越多的SoC系统芯片中集成DDR3接口模块，设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应用前景。本文在研究了DDR3的JEDEC标准的基础上，设计出DDR3控制器IP软核的整体架构，并使用VerilogHDL语言完成DDR3控制器IP软核。在分析了40nmDDR3PHY测试芯片的基本性能的基础上，设计DDR3控制器IP软核的接口模块。搭建利用AXI总线对DDR3控制器IP软核发出直接激励的仿真验证平台，针对设计的具体功能进行仿真验证，并在XilinxXC5VLX330T-FF1738-2开发板上实现对DDR3存储芯片基本读／写操作控制。在EDA仿真环境下，DDR3控制器IP软核的总线利用率达到66．6％。

简介：无核封装基板制造的核心技术是以图形电镀方式实现精细线路和铜柱的制作，而具有良好电镀均匀性的铜柱才能保证层间互连的可靠性。文章研究了电镀前处理条件改变对电镀铜柱均匀性的影响，并对其机理进行了分析。实验结果表明了除油时间延长至1000s与增加电镀前的等离子蚀刻（plasma）处理可以有效地将65um车同柱厚度的标准偏差降低到2．66，极值降低到12．3μm，其原因是延长除油时间可改善铜面粗糙度，plasma处理提高干膜表面的浸润性且进一步增加铜面粗糙度，从而促进电镀过程中镀液的快速交换，有利于铜柱的均匀性电镀。

简介：2002年到2006年，我国汽车工业以超过10％的年增长率持续稳定发展，2006年汽车产量已达728．0万部。汽车工业的发展直接推动着我国车载GPS终端产品的发展，加之各行业和个人对车载信息终端需求日渐增加等因素的推动下，起步较晚的我国车载GPS终端市场已驶入高速发展轨道。2002至2006年间，中国车载GPS销售量以大于90％的年复合增长率上升，