简介：本文给出了高压IGBT电压源逆变器的不同短路类型。综述了当前已知的几种短路类型（类型1，类型2，零电流类型2和类型3），并研究了IGBT在断开状态时的一种新的短路类型3情况。这种类型的短路发生在逆变器的空白时间内。通过对4．5千伏的IGBT实验，给出了所有的短路电流类型，其中也包括门极的di／dt反馈影响。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

简介：

简介：本文试析采用SMT的产品拓产的四种途径。

简介：

简介：本文通过对我厂原有滑差励磁调节给煤控制方式的重大缺陷的简述，提出了变频器在我厂5#锅炉技改工程中给煤控制系统的设计、原理、使用方案及其实际应用中的优越性、良好效果，并简单分析了其经济效益。

简介：1引言当今市场上需要占地面积较小且又具有较高功率水平的DC／DC变换器。为了获得这样的功率密度，开关频率提高了，这使MOSFET的功率损耗增加。因而要求设计者对热阻有较好的了解，即何谓热阻?如何测量?它给设计者提供何信息?

简介：最近兴起了分布式发电技术，诸如光伏发电、燃料电池和微型叶轮机。然而，这类电源需要接口来控制管理与电例的连接。这些连接装置的核心是电力电子装置，例如逆变器，因为电力电子装鼹本身县有多功能性，不仅可以提供基本的连接功能，还可以提供多种多样的实用功能。本文介绍标准化的逆变器馈电方式和在常规电力系统中应用同步发电机的下垂控制方法对基于逆变器的分布式发电系统进行频率调节和功率平衡的可能性。

简介：由中国节能协会节能服务产业委员会（EMCA）和贵州省节能减排领导小组办公室联合主办的“‘智光杯’中国节能服务万里行一贵州行”在贵阳市贵州饭店国际会议中心正式启动。