简介：本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。

简介：本文介绍，在为一个印刷工艺订购模板（stencil）时，有一个明确的经验曲线。当对其技术的熟悉帮助产生所希望结果的时候，模板变成在一个另外可变的装配运作中的常量。

简介：经过多年间不同规模电路板厂筹建工作，也即生产工业工程PIE（ProductionIndustryEngineering）。积累之心得体会书于纸面，供同行业界交流参考，但愿对读者有所帮助和启发。

简介：

简介：在分析了2010年俄罗斯公共平台上发布的ICT领域前100个大型政府机构采购项目之后，我们可以说金融危机已经过去。俄罗斯科教部凭借超级计算机项目签订了超过63．7亿卢布的合同，在联邦政府机构采购排名中位居榜首。由此．市场上的公司得出了一致的结论：俄罗斯政府开始下决心搞信息化建设。

简介：2010年俄罗斯数据中心市场总额达到了44亿卢布。据权威机构预测，2011年这一市场将增长28％，达到56亿卢布。近日，iKS—Consulting咨询公司公布了关于俄罗斯2010-2015年商用数据中心市场的报告。该报告分析了俄罗斯数据中心市场目前以及未来的发展指标，并对俄罗斯市场上主要公司的发展方向进行了描述。

简介：本文阐述通过先进的集成化改进功率处理技术的可能方向。其中心焦点是除了电力半导体开关组件的集成化外还应推动电磁功率无源元件、电磁干扰滤波器、和电力变换器中的控制、传感、互联结构等的集成化。文中将讨论电子功率处理的基本功能、材料、流程、划分与集成的途径以及将来的概念。

简介：本文重点介绍了变频器在各种纺织机械中的应用概况和应用特点。

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简介：1引言在目前已得到开发利用的清洁能源中，风力发电是发展最快的，也是最具有大规模开发前景的发电方式。随着风能利用技术的日趋成熟，风能的开发成本逐步降低。目前陆上风电场建设投资在8000-10000元／千瓦左右，风力发电的成本已经可以与常规能源相比拟。截止2008年年底，

简介：Atmel公司日前推出一款新型媒体处理器AT76C120。该处理器在单个芯片上集成了实现媒体播放功能所需的所有功能，适合于标准和高清晰度电视、平板显示器、投影仪、便携媒体服务器和可独立使用的播放盒(playbackbox)。

简介：3月31日,50多家媒体齐聚台达集团北京分公司,在＂2016年台达自动化产品策略媒体交流会＂上分享台达智造新品,涵盖设备层、控制层、管理层,以及云端服务的相关产品,传达台达助力＂中国制造2025＂、推进智能制造的信心和实力,标志着台达正式开启智能制造新战略。

简介：台达机电事业部总经理张训海：今天，台达上海营运中心暨研发大楼正式揭幕启用，我们相信台达也将迎来更美好的未来。从今年开始，我们定位整个机电事业部的中心思想和经营理念为“创变，新未来”，我们将为客户提供占据市场最优秀、最可靠的自动化解决方案。

简介：为了提高产品热处理炉的炉温均匀性和稳定性控制性能,通常要按照炉温均匀性的检测方法与标准对热处理炉的炉温均匀程度进行测定和记录。为此,文中给出了以DSP为基础,并通过具有时间标签的温度监控记录仪来对炉温进行测量与记录的实现方法。通过该方法还可将具体的检测数据记录在FLASH闪存中以备后用。

简介：FPGA既具有门阵列的高逻辑密度和高可靠性，又具有可编程逻辑器件的用户可编程性，可以减少系统的设计和维护风险，降低产品成本，缩短设计周期。文中给出了利用FPGA设计汉明距离的计算电路，同时给出与通过有效的芯片资源配置，恰当地选择存储器的总容量与加法器总数，来使整个系统的资源利用率达到最佳的实现方法。

简介：本文试析采用SMT的产品拓产的四种途径。

简介：本文阐述了BGA、CSP等隐藏在封装器件下面的焊点的检测设备和检测方法。

简介：为了设计基于Si8250的数字电源补偿器，本文采用该芯片专有的GUI图形仿真软件，对功率级主电路的开环模型进行了仿真，生成了幅频和相频特性曲线。结合Venable补偿理论与GUI中的控制环路模型及图形化补偿方式，设计了精确的数字PID补偿器。试验表明，通过GUI设计的数字补偿器具有很好的环路动态特性和稳定性。

简介：本文介绍了一种基于FPGA的双输入单输出模糊控制器的简化设计，并根据控制器的要求利用超高速集成电路硬件描述语言VIID（VeryHighSpeedIntegratedCircuitHardwareDescriptionLanguage）设计了加法器、减法器等运算器。整个设计过程采用自定向下的设计方法，并在MAXPLUSⅡ10．2环境下通过编译和仿真。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。