简介：（NihonKeizaiShimbun）周日的报道称，日本东芝公司计划在今后三年内投资18亿美元（大约折合2000亿日元），使其闪存芯片基地产量增加150％。
简介：本文介绍有关大面积IGT(集成门极换流晶闸管)改进安全工作区(SOA)的三个概念:优化门极电路;通过优化掺杂浓度分布和辐照来改进局部安全工作区;借助于辐照来补偿横向效应。局部SOA的优化同改进门极电路相结合,会使创记录的阻断SOA达到1MW/cm2的开关功率密度。所有三项措施结合起来,就可以使大面积IGCT安全工作区(SOA)的改进超过30%。
简介：1月11日,公安部公布的机动车保有量数据显示,截止2018年底,我国新能源汽车保有量达到261万辆,占汽车总量的1.09%,与2017年相比,增加107万辆,增长70.00%。其中,纯电动汽车保有量211万辆,占新能源汽车总量的81.06%。从统计情况看,近五年新能源汽车保有量年均增加50万辆,呈加快增长趋势.
简介：VishayIntertechnology。Inc．推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB．该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。
简介：华上计划投资3000万美元在中国大陆江苏吴江地区投资设立LED外延厂华上光电，由华上持股100％，当地政府提供补助资金。
东芝新增投资18亿美元 提高NAND芯片产能
具有改进安全工作区(SOA)的大面积IGCT
新能源汽车保有量261万辆2018年新增107万辆
Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET
华上投3000万美元江苏设厂台LED新增产能往大陆转移
