简介：本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理，分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响，以及结构参数之间的相互制约关系。对6．5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化，给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺，样品测试结果表明，6．5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。

简介：充分利用镭射技术取代部分传统Sequential结构的盲孔板，彻底克服不对称压合产生的板弯翘，以及消除外层多次电镀对蚀刻细线路的限制。

简介：中国香港、日本、中国台湾和欧美等国家和地区的许多印制电路板（PCB）企业部陆续将生产线迁至中国大陆，并依靠先进的技术和管理水平，以及大批量生产能力，通过压低产品售价的方式来打压其它PCB制造商，抢夺订单。

简介：针对电力系统日益增多的三相不对称负荷所造成的电网功率因数低、电压波形畸变等问题,本文以平衡化原理与瞬时无功理论为理论支撑,提出一种静止无功补偿装置（StaticVarCompensator）补偿导纳新算法。该算法通过对负荷电流有功分量和无功分量的解耦,利用提取出的无功分量计算理想补偿导纳,相比传统算法检测更为简便,且不受谐波分量影响。在Matlab/Simulink环境下建立TCR＋FC型SVC模型,通过对三相不对称负荷的仿真,证明了所提算法的正确与可行,也验证了SVC装置对平衡三相不对称网络的有效性。

简介：今天，PC产业面临又～轮升级一----一向双核时代进发。根据Intel的规划，到今年底，双核产品将占到整个市场的70％以上。

简介：

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简介：在工业大功率应用领域已经推出了多种类型（对称，非对称以及逆向导通）的门极换流晶闸管（GCT）器件，为了用它来实现更高性能、更加合适的系统，人们期望对门极换流晶闸管展开进一步的研究，本文提出了对称门极换流晶闸管的一种新方案。

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简介：在现代工业社会，制造业企业面临的压力越来越大：客户的期望千差万别，前所未有的市场透明度和全球竞争需要企业不断地努力，以期在未来能够生存下去。而企业之所以能生存下去，很大一部分要归功于各类商品的工业标识。因为它们将企业实际的货物物流与虚拟的数据流联系到了一起。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。