简介:通过对△^pn与△^pn(A)两类复杂性语言中的多项式图灵完全集之间关系的研究,证明了L^pn、H^pn等计算复杂性语言类的递归可表示性。
简介:基于工程教育国际化时代背景,借鉴国内外当前一些先进的工程教育理念,针对我国工程教育现状,结合国情,构建了A-H-CDIO人才培养模式和三角网状课程体系,以及相应的质量保障体系,提出了工程教育师资建设新思路,并设想了构建学制贯通的渗透式全国工程教育体系的粗浅方案.
简介:合成了一种未见报道的标题化合物((C5N2H6)3(C5N2H7)3[(PO4)Mo12O36]·2H2O,Mr=2403.00)并得到单晶,晶体衍射实验发现其属于单斜晶系,P2(1)/n空间群,晶体学参数:a=13.316(3),b=22.414(5),c=20.063(4),α=90.00(4)°,β=100.743(3)°,γ=90.00°,V=5883(2)3,Z=4,Dc=2.713Mg/m3,μ(MoKα)=2.608mm-1,F000=4604,最终R=0.0596,wR=0.1345,GoF=1.042.配体由由簇阴离子[(PO4)Mo12O36]3-之间通过端基氧与2-氨基吡啶形成氢键而相互连接,中间填充了一些水分子及2-氨基吡啶.
简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.
简介:针对五开关级联H桥逆变器提出一种新的调制策略,该调制策略是在载波移相原理的基础上,对调制波与载波比较得到的脉冲信号作进一步的处理,之后作为开关器件的脉冲触发信号。采用该调制策略,不仅能够实现载波移相调制的功率均衡效果,而且能够达到载波移相调制的良好消谐效果,最后通过MATLAB/simulink搭建了三单元五开关级联H桥逆变器仿真模型,通过仿真结果验证了理论分析的正确性。