简介：本文用回路电流法证明了特勒根定理，并用该定理证明了弥尔曼定理和互易定理。

简介：利用MCNP程序计算了不同燃耗下脉冲堆调节棒的微分价值，并采用周期法实验测量了调节棒的微分价值，对比了在不同燃耗下脉冲堆调节棒的微分价值实验值和理论计算值。结果表明：随着脉冲堆燃耗的加深，调节棒在高度200mm以下微分价值变化不明显，在高度200.390mm时，燃耗越深，微分价值越大，理论值与实验值符合很好。

简介：设计一种实验装置,能显示非线性电路中振荡周期分岔与混沌现象;同时,测出了该实验装置非线性电阻的伏安特性;利用该装置介绍一种测量费根鲍姆常数(FeigenbaumConstant)的方法.

简介：在对哈根-泊肃叶方程理论分析和推导的基础上,借助于ANSYSCFX进行流场的数值计算,获得速度场和剪切速率的分布以及壁面的剪切应力等多个物理量的分布以及较为直观的可视结果和可靠数据,进一步的提高了教学效果,促进了学生的理解能力与动手实践的兴趣。

简介：变像管相机是唯一具有时空二维观测能力的超高速光电测试设备，时间分辨本领几个皮秒乃至亚皮秒，空间分辨本领几十微米。该产品能把微弱的瞬态光通过光学成像系统投射到变像管的光阴极转换成在数量上和光强成正比的电子，再经高速线性扫描电场扫开轰击荧光屏成像，最后采集到CCD相机，

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.