简介：随着对能源需求的不断增加，可再生能源尤其是太阳能越来越受到人们的重视，光伏应用作为太阳能利用的重要途径一直是研究的热点。近几年，具有半导体纳米线结构的太阳电池引起了人们的广泛关注，由于其独特的电子传输和光吸收特性，这种新型电池在提高电池的转换效率、降低生产成本等方面将可能成为很有发展潜力的太阳电池。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

简介：德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义，因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

简介：以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ag掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度均为100ppm的无水乙醇蒸汽、氨气、甲烷及一氧化碳四种气体进行气敏性能测试，结果表明，Ag掺杂后，ZnO纳米线对四种气体灵敏度的最高值分别提高了230％，92％，158％，49％，缩短了响应时间和恢复时间。

简介：采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：利用反相胶束结合溶剂热法制备了BaCO3单晶纳米线。该方法中，油酸／正辛烷／水体系中的反相胶柬起到模板作用，引导BaCO3沿一维方向生长，通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、投射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HRTEM）对BaCO3纳米线进行了表征，结果表明，所制备的BaCO3纳米线为均匀的直线形单晶纳米线，直径为80～200nm，长度为几百纳米到几微米。对BaCO3纳米线的形成机理进行了分析。

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

简介：采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构,而且沿002方向有择优取向性,没有发现其它含Mn的化合物生成。从ZFC/FC曲线看出样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异现象。45K和300K下测量的的M-H曲线显示磁滞现象,测得的矫顽力分别是300Oe和100Oe,说明样品具有铁磁性。样品的紫外-可见光反射谱显示Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大。掺杂度在1%处能隙有最小值。

简介：湖南大学邹炳锁教授领衔的纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学宁存政教授领衔的纳米光子学小组合作，将半导体激光芯片调谐范围（即发光波长所能调节的范围）扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创下纳米线激光器调谐范同的世界记录，与原来调谐范围最长仅几十纳米相比，发光波长调节范围扩大约10倍。

简介：以阳极氧化铝为模板制备了具有高度有序微观结构的金属钯的纳米线,SEM分析表明,钯纳米线直径为50nm,且直立于电极表面,循环伏安扫描表明,在碱性环境中,钯纳米线对乙醇电氧化具有很高的催化活性,起峰点位在-0.58V,峰电流密度达到89.6mA/cm^2,正扫时的峰很尖锐,说明随着电压的升高,电极表面的乙醇被迅速消耗,因而钯纳米线对乙醇催化有很高的活性。

简介：在传统的二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板的基础上,利用逐级降低电压的方法减薄阻挡层,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪对Pd-Ni合金纳米线的组织形貌、晶体结构和化学状态等进行了表征与测试,结果表明,Pd-Ni纳米线的直径为70nm左右,且纳米线径向表面不够光滑,呈毛刺状,单根纳米线属于多晶结构;Pd-Ni纳米线中Pd：Ni原子比接近为1：1,表明金属Pd、Ni在纳米线中处于简单混合状态。此外,对交流电沉积制备金属纳米线时沉积条件的选择做了简要解析。

简介：以InCl3·4H2O和乙二胺为原料,采用溶胶凝胶模板法合成了立方晶系的In2O3纳米线,利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜对材料的组成、形貌、晶粒的大小、直径进行了表征,结果表明,产物是直径为80-100nm,晶粒直径为4-10nm的纳米线。用产物In2O3纳米线制备气敏元件,气敏测试结果显示,合成的In2O3纳米线对NO2具有很高的灵敏度,器件的最佳工作温度为360℃。

简介：以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果表明，合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构，二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制，生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用，可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。

简介：以柠檬酸三钠为络合剂，采用络合反应快速冷冻共沉淀法制备出铜掺杂氢氧化镍超细粉体样品材料，采用XRD、SEM、TEM、TG—DSC、Raman和红外对其进行表征，同时将其作为正极活性材料组装成MH—Ni电池，测试了其电化学性能。充放电结果表明，样品电极具有较好的循环特性．当Cu的掺杂量为5％时，合活性物质80％的样品电极在恒流80mA／g下充电6h，40mA／g放电，终止电压为1．0V时．放电电压稳定于1．260V的时间较长，开路电位为1．462V，放电比容量可达362．976mAh／g，表现出其较高的电化学活性。

简介：通过微观分析、性能测试和形貌观察,研究了Ni/TiO2基核壳结构微粒电流变液性能与其浓度、剪切速率以及所加电磁场强度的关系,结果发现,成分相同时,电流变液的强度随浓度和剪切速率的增加而增强,但到达一定时趋于稳定,同时,电场和磁场复合加载有利于电流变液强度的提高,其形貌亦出现微粒柱的相互交织。

简介：日本东北大学原子分子材料科学高等研究机构山中幸仁副教授领导的研究小组和该大学金属材料研究所及东北学院大学合作，共同开发了利用气体喷雾法的软磁性非晶合金纳米线（直径100nm-3μm）的低成本批量生产技术。并用这种纳米线试制了磁传感元件。测试结果显示，该元件具有电阻值随外加磁场变化而变化的磁阻效应。

简介：采用沉淀法合成了粒径为40～50nm的硼酸镍纳米微粒，利用透射电镜、X射线粉末衍射仪、热分析仪、FT-IR光谱仪等进行了结构表征，利用四球摩擦试验机考察了其在水溶液中的摩擦学行为，并利用电子扫描电镜考察了磨损表面的形貌。结果表明：硼酸镍纳米微粒作为水基添加刘能显著提高水的抗磨减摩性能．作用机理是发生了摩擦化学反应，在摩擦副表面生成了含Ni2O3、B2O3、FeO和Fe2O3的复合润滑膜．所以能有效提高水的抗磨减摩性能。